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IRG4PC40UD
图. 7 -
典型 电容 vs.
集电级-至-发射级 电压
图. 8
- 典型 门 承担 vs.
门-至-发射级 电压
图. 9
- 典型 切换 losses vs. 门
阻抗
图. 10
- 典型 切换 losses vs.
接合面 温度
0
1000
2000
3000
4000
1 10 100
CE
c, capacitance (pf)
V, collector-至-emitter voltage (v)
一个
V= 0V,         f =1M Hz
c      =C+C,   cSHORTED
c      =C
c      =C+C
GE
iesgegc         ce
res         gc
oes        cegc
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0 20 40 60 80 100 120
GE
v     , gate-至-emitter 电压 (v)
g
Q, 总的 gate charge(nc)
一个
V=400V
i      = 20一个
CE
C
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0 102030405060
G
总的 切换 losses (mj)
r   , 门 阻抗 (
Ω
)
一个
v      = 480v
v      = 15v
t      = 25°c
i      = 20a
CC
GE
C
C
0.1
1
10
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
总的 切换 losses (mj)
r      = 10
Ω
v      = 15v
v      = 480v
一个
i    = 40a
i    = 20a
i    = 10a
G
GE
CC
C
C
C
t  , 接合面 温度 (°c)
J

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IRG4PC40UD 图. 7 - 典型电容 vs. 集电级-至-发射级电压图. 8 - 典型门承担 vs. 门-至-发射级电压图. 9 - 典型切换 losses vs. 门阻抗图. 10 - 典型切换 losses vs. 接合面温度 0 1000 2000 3000 4000 1 10 100 CE c, capacitance (pf) V, collector-至-emitter voltage (v) 一个 V= 0V, f =1M Hz c =C+C, cSHORTED c =C c =C+C GE iesgegc ce res gc oes cegc C ies C res C oes 0 4 8 12 16 20 0 20 40 60 80 100 120 GE v , gate-至-emitter 电压 (v) g Q, 总的 gate charge(nc) 一个 V=400V i = 20一个 CE C 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 0 102030405060 G 总的切换 losses (mj) r , 门阻抗 ( Ω ) 一个 v = 480v v = 15v t = 25°c i = 20a CC GE C C 0.1 1 10 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 总的切换 losses (mj) r = 10 Ω v = 15v v = 480v 一个 i = 40a i = 20a i = 10a G GE CC C C C t , 接合面温度 (°c) J

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