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资料编号:342269
资料名称:
IRG4PC40UD
文件大小: 245.54K
说明
:
介绍
:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
: 点此下载
3
4
5
6
7
8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4PC40UD
图. 14
- 典型 反转 恢复 vs. di
f
/dt
图. 15
- 典型 恢复 电流 vs. di
f
/dt
图. 16
- 典型 贮存 承担 vs. di
f
/dt
图. 17
- 典型 di
(rec)m
/dt vs. di
f
/dt
1
10
100
100
1000
f
di /dt - (
一个/µs)
i - (一个
)
IRR
M
i =
5.0a
i =
15
一个
i =
3
0A
F
F
F
v = 200v
t = 125°c
t = 25°c
R
J
J
0
200
400
600
800
100
1000
f
d
i /d
t - (
一个/µs)
RR
Q
- (nc)
i = 3
0A
i =
15
一个
i =
5
.0
一个
F
F
F
v = 200v
t = 125°c
t = 25°c
R
J
J
100
1000
100
1000
f
di /dt - (
一个/µs)
di(rec)m/dt - (一个/µs)
i =
5
.0
一个
i =
1
5A
i =
30
一个
F
F
F
v = 200v
t = 125°c
t = 25°c
R
J
J
20
40
60
80
100
100
1000
f
di /dt -
(一个/µs)
t - (ns)
rr
i = 30a
i = 15a
i = 5.0a
F
F
F
v = 200v
t = 125°c
t = 25°c
R
J
J
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