IRG4PC50UD_集成电路资料查询网

IRG4PC50UD
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图. 14
- 典型 反转 恢复 vs. di
f
/dt
图. 15
- 典型 恢复 电流 vs. di
f
/dt
图. 16
- 典型 贮存 承担 vs. di
f
/dt
图. 17
- 典型 di
(rec)m
/dt vs. di
f
/dt
0
300
600
900
1200
1500
100 1000
f
di  /dt -(一个/µ s )
RR
Q-  (nc)
i   =10一个
i   =25A
i   =50A
F
F
F
v  = 200v
t  = 125
°
C
t  = 25
°
C
R
J
J
100
1000
10000
100 1000
f
di  /dt -(一个/µs)
di(rec)m/dt  -  (一个/µs)
i   =50A
i   =25一个
i   =10一个
F
F
F
v  = 200v
t  = 125
°
C
t  = 25
°
C
R
J
J
1
10
100
100 1000
f
di  /dt -(一个/µ s)
i         - (一个)
IRRM
i   =10一个
i   =25A
i   =50A
F
F
F
v  = 200v
t  = 125
°
C
t  = 25
°
C
R
J
J
20
40
60
80
100
120
140
100 1000
f
di  /dt -
(一个/ µs)
t    -  (ns)
rr
i   = 50a
i   = 25a
i   = 10a
F
F
F
v  = 200v
t  = 125
°
C
t  = 25
°
C
R
J
J

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IRG4PC50UD www.irf.com 7 图. 14 - 典型反转恢复 vs. di f /dt 图. 15 - 典型恢复电流 vs. di f /dt 图. 16 - 典型贮存承担 vs. di f /dt 图. 17 - 典型 di (rec)m /dt vs. di f /dt 0 300 600 900 1200 1500 100 1000 f di /dt -(一个/µ s ) RR Q- (nc) i =10一个 i =25A i =50A F F F v = 200v t = 125 ° C t = 25 ° C R J J 100 1000 10000 100 1000 f di /dt -(一个/µs) di(rec)m/dt - (一个/µs) i =50A i =25一个 i =10一个 F F F v = 200v t = 125 ° C t = 25 ° C R J J 1 10 100 100 1000 f di /dt -(一个/µ s) i - (一个) IRRM i =10一个 i =25A i =50A F F F v = 200v t = 125 ° C t = 25 ° C R J J 20 40 60 80 100 120 140 100 1000 f di /dt - (一个/ µs) t - (ns) rr i = 50a i = 25a i = 10a F F F v = 200v t = 125 ° C t = 25 ° C R J J

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