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资料编号:342303
 
资料名称:IRG4PC50UD
 
文件大小: 213.92K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4PC50UD
www.irf.com 3
图. 1
- 典型 加载 电流 vs. 频率
(加载 电流 = i
RMS
的 基本的)
图. 2
- 典型 输出 特性
图. 3
- 典型 转移 特性
0.1
1
10
100
1000
0110
CE
C
i , collector-至-emitter 电流 (一个)
V, collector-至-emitter voltag e(V )
t = 150
°
C
t = 25
°
C
J
J
一个
V=15V
20
µ s 脉冲波 w IDTH
GE
1
10
100
1000
4 6 8 10 12
C
i , collecr-至-emitter current (一个)
GE
t = 25
°
C
t = 150
°
C
J
J
v , gate-至-emitter voltag e(V )
一个
V= 10V
5µs 脉冲波 wIDTH
CC
0
10
20
30
40
0.1 1 10 100
f, frequency(kHz)
加载 current (一个)
一个
60% 的 评估
电压
职责 循环: 50%
t = 125
°
C
t =90
°
C
门 驱动 作 指定
转变-在 losses 包含
effects 的 反转 recovery
下沉
J
电源 消耗 = 40w
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