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资料编号:342321
 
资料名称:IRG4PSH71KD
 
文件大小: 200.03K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4PSH71KD
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在) 410 610 I
C
= 42a
Q
ge
门 - 发射级 承担 (转变-在) 47 70 nC V
CC
= 400v 看 图.8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在) 145 220 V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 67
t
r
上升 时间 84 T
J
= 25°c
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 230 350 I
C
= 42a, v
CC
下降 时间 130 190 V
GE
= 5.0
E
转变-在 切换 丧失 5.68 活力 losses 包含 "tail"
E
转变-止 切换 丧失 3.23 mJ 和 二极管 反转 恢复
E
ts
总的 切换 丧失 8.90 11.6 看 图. 9,10,18
t
sc
短的 电路 承受 时间 10 µs V
CC
= 720v, t
J
= 125°c
V
GE
= 5.0
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 65 T
J
= 150°c, 看 图. 11,18
t
r
上升 时间 87 I
C
= 42a, v
CC
转变-止 延迟 时间 370 V
GE
= 5.0
t
f
下降 时间 290 活力 losses 包含 "tail"
E
ts
总的 切换 丧失 13.7 mJ 和 二极管 反转 恢复
L
E
内部的 发射级 电感 13 nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容 5770 V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容 400 pF V
CC
= 30v 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容 100 ƒ = 1.0mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间 107 160 ns T
J
= 25°c 看 图.
160 240 T
J
= 125°c 14 i
F
= 42a
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复 电流 10 15 一个 T
J
= 25°c 看 图.
—1624 T
J
= 125°c 15 v
R
= 200v
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担 680 1020 nC T
J
= 25°c 看 图.
1400 2100 T
J
= 125°c 16 di/dt = 200a/µs
di
(rec)m
/dt 二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复 250 一个/µs T
J
= 25°c 看 图.
在 t
b
320 T
J
= 125°c 17
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压
1200 V V
GE
= 250µa
V
(br)ces
/
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压 1.1 v/°c V
GE
= 0v, i
C
= 10ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压 2.97 3.9 I
C
= 42a V
GE
= 15v
3.44 V I
C
= 78a 看 图. 2, 5
2.60 I
C
= 42a, t
J
= 150°c
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0 6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
V
ge(th)
/
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压 -12 mv/°c V
CE
= v
GE
, i
C
= 1.5ma
g
fe
向前 跨导
25 38 S V
CE
= 50v, i
C
= 42a
I
CES
零 门 电压 集电级 电流 500 µA V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v
10 毫安 V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v, t
J
= 150°c
V
FM
二极管 向前 电压 漏出 2.5 3.7 I
C
= 42a 看 图. 13
2.4 I
C
= 42a, t
J
= 150°c
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流 ±100 nA V
GE
= ±20v
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
ns
V
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