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资料编号:342332
 
资料名称:IRG4RC10SD
 
文件大小: 189.76K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4RC10SD
10 www.irf.com
注释:
repetitive 比率: v
GE
=20v; 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度 (图示 20)
V
CC
=80%(v
CES
), v
GE
=20v, l=10µh, r
G
= 100w (图示 19)
脉冲波 宽度
80µs; 职责 因素
0.1%
.
脉冲波 宽度 5.0µs, 单独的 shot.
录音带 &放大; 卷轴 信息
至-252aa
TR
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
12.1(.47 6 )
11.9(.46 9 )
喂养 方向
喂养 方向
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
TRR
TRL
注释 :
1. controlling 维度 : millimeter.
2 . 一个LLD IM EN SIO N S一个RESHO W N M ILLIM ET ERS( CH E S).
3. 外形 遵从 至 eia-481 &放大; eia-541.
注释 :
1. 外形 遵从 至eia-481.
16 mm
13 C H
ir world 总部:
233 kansas st., el segundo, 加利福尼亚 90245, usa 电话: (310) 252-7105
tac 传真: (310) 252-7903
visit 美国 在 www.irf.com 为 销售 联系 信息
.
数据 和 规格 主题 至 改变 没有 注意. 12/00
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