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资料编号:342332
 
资料名称:IRG4RC10SD
 
文件大小: 189.76K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4RC10SD
6 www.irf.com
1
10
100
1 10 100 1000
v = 20v
t = 125 c
GE
J
o
safe 运行 范围
v , 集电级-至-发射级 电压 (v)
i , 集电级 电流 (一个)
CE
C
图. 11 -
典型 切换 losses vs.
集电级 电流
图. 12
- 转变-止 soa
0 4 8 12 16 20
0
3
6
9
12
15
i , 集电级 电流 (一个)
总的 切换 losses (mj)
C
r = 100
t = 150 c
v = 480v
v = 15v
G
J
CC
GE
°
100
0.1
1
10
100
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0
FM
向前 voltage drop - v (V )
t = 150
°
C
t = 125
°
C
t = 25
°
C
J
J
J
向前 电压 漏出 - v
FM
( v )
instantaneous 向前 电流 ( 一个 )
图. 13
- 最大 向前 电压 漏出 vs. instantaneous 向前 电流
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