GA75TS60U
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参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在) — 340 510 V
CC
= 400v, v
GE
= 15v
Q
ge
门 - 发射级 承担 (转变-在) — 48 72 nC I
C
= 75a
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在) — 120 170 T
J
= 25°c
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 — 110 — R
G1
= 27
Ω
, r
G2
= 0
Ω
,
t
r
上升 时间 — 94 — ns I
C
= 75a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 — 250 — V
cc =
360V
t
f
下降 时间 — 180 — V
GE
= ±15v
E
在
转变-在 切换 活力 — 1.95 — mJ
E
止 (1)
转变-止 切换 活力 — 4.4 —
E
ts (1)
总的 切换 活力 — 6.35 12.6
C
ies
输入 电容 — 7880 — V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容 — 770 — pF V
CC
= 30v
C
res
反转 转移 电容 — 98 — ƒ = 1 mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间 — 133 — ns I
C
= 75a
I
rr
二极管 顶峰 reversecurrent — 94 — 一个 R
G1
= 27
Ω
Q
rr
二极管 恢复 承担 — 6274 — nC R
G2
= 0
Ω
di
(rec)
M
/dt
二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复 — 2061 — 一个/µs V
cc =
360V
在 t
b
di/dt =1300a/µs
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压 600 — — V
GE
= 0v, i
C
= 1ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 电压 — 1.7 2.2 V
GE
= 15v, i
C
= 75a
— 1.76 — V V
GE
= 15v, i
C
= 75a, t
J
= 125°c
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0 — 6.0 I
C
= 0.5ma
∆
V
ge(th)
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压 — -11 — mv/°c V
CE
= v
GE
, i
C
= 500µa
g
fe
向前 跨导 „ — 83 — S V
CE
= 25v, i
C
= 75a
I
CES
集电级-至-发射级 leaking 电流 — — 1.0 毫安 V
GE
= 0v, v
CE
= 600v
——10 V
GE
= 0v, v
CE
= 600v, t
J
= 125°c
V
FM
二极管 向前 电压 - 最大 — 3.3 — V I
F
= 75a, v
GE
= 0v
— 3.1 — I
F
= 75a, v
GE
= 0v, t
J
= 125°c
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流 — — 250 nA V
GE
= ±20v
动态 特性 - t
J
= 125°c (除非 否则 指定)
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
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