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资料编号:345654
 
资料名称:GA75TS60U
 
文件大小: 216.53K
   
说明
 
介绍:
HALF-BRIDGE IGBT INT-A-PAK
 
 


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GA75TS60U
6 www.irf.com
图. 11 -
典型 切换 losses vs.
集电级-至-发射级 电流
图. 12
- 反转 偏差 soa
图. 13
- 典型 向前 电压 漏出 vs.
instantaneous 向前 电流
图. 14
- 典型 贮存 承担 vs. di
f
/dt
I
C
, 集电级-至-发射级 电流 ( 一个 )
0 40 80 120 160 200 240
0
5
10
15
20
25
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
总的 切换 losses (mj)
C
r = ohm
t = 125 c
v = 360v
v = 15v
G
J
CC
GE
°
R
G1
= 27
;r
G2
= 0
0
40
80
120
160
200
0 100 200 300 400 500 600 700
CE
GE
safe 运行 范围
v , 集电级-至-emitter voltage(V)
一个
V=20V
t = 125°c
Vmeasured在 terminal
(顶峰 voltage)
GE
J
CE
10
100
1000
1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
FM
F
instantaneous 向前 电流 - i (一个)
向前Voltage drop- v(v)
t = 125°c
t = 25°c
J
J
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
500 1000 1500 2000
f
di /dt -(一个/µs)
RR
q - (nc)
i = 150a
i =75A
i =38A
F
F
F
R
J
J
v = 360v
t = 125°c
t = 25°c
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