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资料编号:349004
 
资料名称:GE28F320B3BC70
 
文件大小: 920.8K
   
说明
 
介绍:
3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
 
 


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28f004/400b3, 28f008/800b3, 28f016/160b3, 28f320b3, 28f640b3
2
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1.1 产品 overview
intel 提供 这 大多数 有伸缩性的 电压 解决方案 在 这 flash 工业, 供应 三 分离的
电压 供应 管脚: v
CC
为 读 运作, v
CCQ
为 输出 摆动, 和 v
PP
为 程序 和
擦掉 运作. 所有 3 volt 先进的 激励 块 flash 记忆 产品 提供 程序/擦掉
能力 在 2.7 v 或者 12 v (为 快 生产 程序编制) 和 读 和 v
CC
在 2.7 v. 自从
许多 设计 读 从 这 flash 记忆 一个 大 percentage 的 这 时间, 2.7 v v
CC
运作 能
提供 substantial 电源 savings.
这 3 volt 先进的 激励 块 flash 记忆 产品 是 有 在 也 x8 或者 x16 包装
在 这 下列的 densities: (看
部分 6.0, “ordering information” 在 页 34为 有效性.)
4-mbit (4,194,304-位) flash 记忆 有组织的 作 256 kwords 的 16 位 各自 或者 512 kbytes
的 8-位 各自
8-mbit (8,388,608-位) flash 记忆 有组织的 作 512 kwords 的 16 位 各自 或者 1024 kbytes
的 8-位 各自
16-mbit (16,777,216-位) flash 记忆 有组织的 作 1024 kwords 的 16 位 各自 或者
2048 kbytes 的 8-位 各自
32-mbit (33,554,432-位) flash 记忆 有组织的 作 2048 kwords 的 16 位 各自
64-mbit (67,108,864-位) flash 记忆 有组织的 作 4096 kwords 的 16 位 各自
这 参数 blocks 是 located 在 也 这 顶 (denoted 用 -t 后缀) 或者 这 bottom (-b suffix)
的 这 地址 编排 在 顺序 至 accommodate 不同的 微处理器 protocols 为 kernel 代号
location. 这 upper 二 (或者 更小的 二) 参数 blocks 能 是 锁 至 提供 完全 代号
安全 为 系统 initialization 代号. locking 和 unlocking 是 控制 用 wp# (看部分
3.3, “block locking” 在 页 14为 详细信息).
这 command 用户 接口 (cui) serves 作 这 接口 在 这 微处理器 或者
微控制器 和 这 内部的 运作 的 这 flash 记忆. 这 内部的 写 状态 机器
(wsm) automatically executes 这 algorithms 和 timings 需要 为 程序 和 擦掉
行动, 包含 verification, 因此 un-burdening 这 微处理器 或者 微控制器.
这 状态 寄存器 indicates 这 状态 的 这 wsm 用 signifying 块 擦掉 或者 文字 程序
completion 和 状态.
这 3 volt 先进的 激励 块 flash 记忆 是 也 设计 和 一个 自动 电源 savings
(aps) 特性 这个 降低 系统 电流 流, 准许 为 非常 低 电源 设计. 这个
模式 是 entered 下列的 这 completion 的 一个 读 循环 (大概 300 ns 后来的).
这 rp# 管脚 提供 额外的 保护 相反 unwanted command 写 那 将 出现
在 系统 重置 和 电源-向上/向下 sequences 预定的 至 invalid 系统 总线 情况 (看
部分 3.6, “power-向上/向下 operation” 在 页 16).
部分 3.0, “principles 的 operation” 在 页 7给 详细地 explanation 的 这 不同的 模式
的 运作. 完全 电流 和 电压 规格 能 是 建立 在部分 4.4, “dc
characteristics” 在 页 20. 谈及 至部分 4.5, “ac 特性 —read operations” 在
23
为 读, 程序 和 擦掉 效能 规格.
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