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用 这 输出 是 相等的至 三 软-开始 循环. 这
fourth 内部的 软-开始 cycle initiates 一个 非rmal 软-开始
ramp 的 这 输出, 在 时间 t1. 这 输出 是 brought 后面的
在 规章制度 用 时间 t2, 作 长 作 这 在 电流 事件
有 cleared.
had 这 导致 的 这 在 current 安静的 被 呈现 之后 这
延迟 间隔, 这 在 电流 情况 将 是 sensed
和 这 调整器 将 是 shut 向下 又一次 为 另一
延迟 间隔 的 三 软开始 循环. 这 结果 hiccup
模式 样式 的 保护 将 continue 至 repeat indefinitely.
这 在-电流 函数 将 trip 在 一个 顶峰 inductor 电流
(i
顶峰)
决定 用:
在哪里 i
OCSET
是 这 内部的 ocset 电流 源 (20
µ
一个
典型). 这 oc trip 要点 varies mainly 预定的 至 这 场效应晶体管
r
ds(在)
变化. 至 避免 在-电流 tripping 在 这
正常的 运行 加载 范围, find 这 r
OCSET
电阻 从
这 等式 在之上 和:
1. 这 最大 r
ds(在)
在 这 最高的 接合面
温度.
2. 这 最小 i
OCSET
从 这 规格 表格.
3. 决定 i
顶峰
为:
,在哪里
∆
i 是
这 输出 inductor 波纹 电流.
为 一个 等式 为 这 波纹 电流 看 这 部分 下面
组件 指导原则 加标题 ‘output inductor 选择’.
一个 小 陶瓷的 电容 应当 是 放置 在 并行的 和
R
OCSET
至 平整的 这 电压 横过
R
OCSET
在 这
存在 的 切换 噪音 在 这 输入 电压.
在/下面 电压 保护
所有 三 regulators 是 保护ed 从 faults 通过 内部的
在/下面 电压 发现 电路系统. 如果 这 任何 栏杆 falls
在下 85% 的 这 targeted 电压, 然后 一个 欠压
事件 是 tripped. 一个 下面 电压 将 使不能运转 所有 三
regulators 为 一个 时期 的 3 软-开始 循环, 之后 这个 一个
正常的 软-开始 是 initiated. 如果 这 输出 是 安静的 下面 85% 的
目标, 这 regulators 将 continue 至 是 无能 和 软-
started 在 一个 hiccup 模式 直到 这 故障 是 cleared. 这个
保护 特性 工作 更 这 一样 作 这 vddq pwm
在 电流 保护 工作. 看 图示 3.
如果 这 任何 栏杆 超过 115% 的 这 targeted 电压, 然后 所有
三 输出 是 立即 无能. 这 isl6532a 将
不 re-使能 这 输出 直到也 这 偏差 电压 是
toggled 在 顺序 至 initiate 一个 por 或者 这 s5 信号 是 强迫
低 和 然后 后面的 至 高.
热的 保护 (s0/s3 状态)
如果 这 isl6532a ic 接合面 温度 reaches 一个 名义上的
温度 的 140
o
c, 所有 regulators 将 是 无能. 这
isl6532a 将 不 re-使能 这 输出 直到 这 接合面
温度 drops 在下 110
o
c 和 也 这 偏差 电压
是 toggled 在 顺序 至 initiate 一个 por 或者 这 slp_s5 信号 是
强迫 低 和 然后 后面的 至 高.
shoot-通过 保护
一个 shoot-通过 情况 occurs 当 两个都 这 upper 和
更小的 mosfets 是 转变 在 同时发生地, effectively
shorting 这 输入 电压 至 地面. 至 保护 从 一个 shoot-
通过 情况, 这 isl6532a 包含 specialized
电路系统 这个 insures 那complementary mosfets 是
不 在 同时发生地.
这 adaptive shoot-通过 保护 使用 用 这 v
DDQ
调整器 looks 在 这 更小的 门 驱动 管脚, lgate, 和 这
upper 门 驱动 管脚, ugate, 至 决定 whether 一个
场效应晶体管 是 在 或者 止. 如果 the 电压 从 ugate 或者 从
lgate 至 地 是 较少 比 0.8v, 然后 这 各自的
场效应晶体管 是 定义 作 正在 的f 和 这 其它 场效应晶体管 是
允许 至 转变 在. 这个 方法 准许 这 v
DDQ
调整器 至 两个都 源 和 下沉 电流.
自从 这 电压 的 这 mosfet 门 是 正在 量过的
至 决定 这 状态 的 the 场效应晶体管, 这 设计者 是
encouraged 至 考虑 这 repercussions 的 introducing
外部 组件 在 这 门 驱动器 和 它们的
各自的 场效应晶体管 门 在之前 的确 implementing
此类 measures. 做 所以 将 干涉 和 这 shoot-
通过 保护.
时间
T1
T0 T2
500mv/div
V
DDQ
V
AGP
V
TT
图示 3. V
DDQ
在 电流 保护 和
V
TT
/v
AGP
ldo 下面 电压 保护
RESPONSES
内部的 软-开始 函数
延迟 间隔
I
顶峰
I
OCSET
xR
OCSET
r
DS 在
()
-----------------------------------------------------=
I
顶峰
I
输出 最大值
()
∆
I
()
2
----------
+>
ISL6532A
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