isl9n312ad3 / isl9n312ad3st rev c©2002 仙童 半导体 公司
isl9n312ad3 / isl9n312ad3st
电的 特性
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
止 特性
在 特性
动态 特性
切换 特性
(v
GS
= 4.5v)
切换 特性
(v
GS
= 10v)
unclamped inductive 切换
流-源 二极管 特性
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
B
VDSS
流 至 源 损坏 电压 I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v 30 - - V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 25v - - 1
µ
一个
V
GS
= 0v T
C
= 150
o
- - 250
I
GSS
门 至 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
20V - -
±
100 nA
V
gs(th)
门 至 源 门槛 电压 V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
a1-3v
r
ds(在)
流 至 源 在 阻抗
I
D
= 50a, v
GS
= 10v - 0.010 0.012
Ω
I
D
= 32a, v
GS
= 4.5v - 0.017 0.020
C
ISS
输入 电容
V
DS
= 15v, v
GS
= 0v,
f = 1mhz
- 1450 - pF
C
OSS
输出 电容 - 300 - pF
C
RSS
反转 转移 电容 - 120 - pF
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 10v V
GS
= 0v 至 10v
V
DD
= 15v
I
D
= 32a
I
g
= 1.0ma
-2538nc
Q
g(5)
总的 门 承担 在 5v V
GS
= 0v 至 5v - 13 20 nC
Q
g(th)
门槛 门 承担 V
GS
= 0v 至 1v - 1.5 2.3 nC
Q
gs
门 至 源 门 承担 - 4.3 - nC
Q
gd
门 至 流
“
Miller
”
承担 - 4.5 - nC
t
在
Tur n-OnTime
V
DD
= 15v, i
D
= 11a
V
GS
= 4.5v, r
GS
= 11
Ω
- - 115 ns
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 - 15 - ns
t
r
上升 时间 - 60 - ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 25 - ns
t
f
下降 时间 - 30 - ns
t
止
转变-止 时间 - - 83 ns
t
在
Tur n-OnTime
V
DD
= 15v, i
D
= 11a
V
GS
= 10v, r
GS
= 11
Ω
- - 57 ns
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 - 8 - ns
t
r
上升 时间 - 30 - ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 45 - ns
t
f
下降 时间 - 30 - ns
t
止
转变-止 时间 - - 115 ns
t
AV
avalanche 时间 I
D
= 2.9a, l = 3.0mh 195 - -
µ
s
V
SD
源 至 流 二极管 电压
I
SD
= 32a - - 1.25 V
I
SD
= 15a - - 1.0 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
SD
= 32a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s- - 20 ns
Q
RR
反转 recovered 承担 I
SD
= 32a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s- - 7 nC
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