isl9n312ad3 / isl9n312ad3st rev c©2002 仙童 半导体 公司
isl9n312ad3 / isl9n312ad3st
图示 5. 转移 特性 图示 6. 饱和 特性
图示 7. 流 至 源 在 阻抗 vs 门
电压 和 流 电流
图示 8. normalized 流 至 源 在
阻抗 vs 接合面 温度
图示 9. normalized 门 门槛 电压 vs
接合面 温度
图示 10. normalized 流 至 源
损坏 电压 vs 接合面 温度
典型 典型的
(持续) t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
0
25
50
75
100
123456
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
DD
= 15v
T
J
= -55
o
C
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
0
25
50
75
100
0 0.5 1.0 1.5 2.0
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 4.5v
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
V
GS
= 3v
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 10v
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
GS
= 4v
5
10
15
20
25
246810
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
r
ds(在)
, 流 至 源
在 阻抗 (m
Ω
)
I
D
= 14a
I
D
= 50a
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
I
D
= 32a
0.5
1.0
1.5
2.0
-80
-40
0
40 80
120 160 200
-40
normalized 流 至 源
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
在 阻抗
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
GS
= 10v, i
D
= 50a
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80 0 40 80 120 160 200-40
normalized 门
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个
门槛 电压
0.9
1.0
1.1
1.2
-80 -40 0 40 80 120 160 200
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
I
D
= 250
µ
一个
损坏 电压
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