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资料编号:358349
 
资料名称:GS72116AJ
 
文件大小: 505.53K
   
说明
 
介绍:
128K x 16 2Mb Asynchronous SRAM
 
 


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rev: 1.04a 10/2002 4/18 © 2001, giga 半导体, 公司
规格 cited 是 主题 至 改变 没有 注意. 为 最新的 必备资料 看 http://www.gsitechnology.com.
gs72116atp/j/t/u
便条: x: “h” 或者 “l”
便条:
永久的 设备 损坏 将 出现 如果 绝对 最大 比率是 超过. 函数的 operation 将要 是 restricted 至 rec-
ommended 运行 情况. 暴露 至 高等级的 比 recommended 电压 为 扩展 时期 的 时间 可以 影响 设备
可靠性.
真实 表格
CE OE 我们 LB UB DQ
1
至 dq
8
DQ
9
至 dq
16
V
DD
电流
H X X X X 不 选择 不 选择 ISB
1
, isb
2
LLH
L L
I
DD
L H 高 z
H L 高 z
LXL
LL
L H 不 写, 高 z
H L 不 写, 高 z
L H H X X 高 z 高 z
L X X H H 高 z 高 z
绝对 最大 比率
参数 标识 比率 单位
供应 电压 V
DD
0.5 至 +4.6 V
输入 电压 V
0.5 至 v
DD
+0.5
(
4.6 v 最大值.)
V
输出 电压 V
输出
0.5 至 v
DD
+0.5
(
4.6 v 最大值.)
V
容许的 电源 消耗 PD 0.7 W
存储 温度 T
STG
55 至 150
o
C
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