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资料编号:358349
 
资料名称:GS72116AJ
 
文件大小: 505.53K
   
说明
 
介绍:
128K x 16 2Mb Asynchronous SRAM
 
 


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rev: 1.04a 10/2002 8/18 © 2001, giga 半导体, 公司
规格 cited 是 主题 至 改变 没有 注意. 为 最新的 必备资料 看 http://www.gsitechnology.com.
gs72116atp/j/t/u
读 循环 2: 我们= v
IH
* 这些 参数 是 抽样 和 是 不 100% 测试.
写 循环
参数 标识
-7 -8 -10 -12
单位
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
写 循环 时间 tWC 7 8
10
12
ns
地址 有效的 至 终止 的 写 tAW 5 5.5
7
8
ns
碎片 使能 至 终止 的 写 tCW 5 5.5
7
8
ns
字节 使能 至 终止 的 写 tBW 5 5.5
7
8
ns
数据 设置 向上 时间 tDW 3.5 4
5
6
ns
数据 支撑 时间 tDH 0 0
0
0
ns
写 脉冲波 宽度 tWP 5 5.5
7
8
ns
地址 设置 向上 时间 tAS 0 0
0
0
ns
写 恢复 时间 (我们
)twr0—0
0
0
ns
写 恢复 时间 (ce
)twr10—0
0
0
ns
输出 低 z 从 终止 的 写
tWLZ
*
3— 3
3
3
ns
写 至 输出 在 高 z
tWHZ
*
—3
3.5
4
5ns
tAA
tRC
地址
tAC
tLZ
tAB
tBLZ
tOE
tOLZ
CE
UB, lb
OE
数据 输出
tHZ
tBHZ
tOHZ
数据 有效的
高 阻抗
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