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资料编号:358451
 
资料名称:GS74116A
 
文件大小: 433.84K
   
说明
 
介绍:
256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
 
 


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rev: 1.03 10/2002 4/14 © 2001, giga 半导体, 公司
规格 cited 是 主题 至 改变 没有 注意. 为 最新的 必备资料 看 http://www.gsitechnology.com.
gs74116atp/j/x
便条:
1. 输入 越过 电压 应当 是 较少 比 v
DD
+2 v 和 不 超过 20 ns.
2. 输入 undershoot 电压 应当 是 更好 比 –2 v 和 不 超过 20 ns.
注释:
1. 测试 在 t
一个
= 25°c, f = 1 mhz
2. 这些 参数 是 抽样 和 是 不 100% 测试.
推荐 operating 情况
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 为 -7/-8/-10/-12
V
DD
3.0 3.3 3.6 V
输入 高 电压 V
IH
2.0
V
DD
+0.3
V
输入 低 电压 V
IL
–0.3 0.8 V
包围的 温度,
商业的 范围
T
交流
0—70
o
C
包围的 温度,
工业的 范围
T
一个
I
–40 85
o
C
电容
参数 标识 测试 情况 最大值 单位
输入 电容 C
V
= 0 v 5 pF
输出 电容 C
输出
V
输出
= 0 v 7 pF
直流 i/o 管脚 特性
参数 标识 测试 情况 最小值 最大值
输入 泄漏
电流
I
IL
V
= 0 至 v
DD
– 1 ua 1 ua
输出 泄漏
电流
I
LO
输出 高 z
V
输出
= 0 至 v
DD
–1 ua 1 ua
输出 高 电压 V
OH
I
OH
= –4 毫安 2.4
输出 低 电压 V
OL
I
LO
= +4 毫安 0.4 v
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