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资料编号:358451
 
资料名称:GS74116A
 
文件大小: 433.84K
   
说明
 
介绍:
256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
 
 


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rev: 1.03 10/2002 1/14 © 2001, giga 半导体, 公司
规格 cited 是 主题 至 改变 没有 注意. 为 最新的 必备资料 看 http://www.gsitechnology.com.
gs74116atp/j/x
256k x 16
4mb 异步的 sram
7, 8, 10, 12 ns
3.3 v v
DD
中心 v
DD
和 v
SS
soj, tsop, fp-bga
工业的 温度
特性
• 快 进入 时间: 7, 8, 10, 12 ns
• cmos 低 电源 运作: 150/130/105/95 毫安 在
最小 循环 时间
• 单独的 3.3 v 电源 供应
• 所有 输入 和 输出 是 ttl-兼容
• 字节 控制
• 全部地 静态的 运作
• 工业的 温度 选项: –40° 至 85°c
• 包装 线条 向上
j: 400 mil, 44-管脚 soj 包装
tp: 400 mil, 44-管脚 tsop 类型 ii 包装
x: 6 mm x 10 mm fine 程度 球 grid 排列
包装
描述
这 gs74116a 是 一个 高 速 cmos 静态的 内存 有组织的
作 262,144 words 用 16 位. static 设计 排除 这 需要
为 外部 clocks 或者 定时 strobes. 这 gs 运作 在 一个
单独的 3.3 v 电源 供应 和 所有 输入 和 输出 是 ttl-
兼容. 这 gs74116a 是 有 在 一个 6 x 10 mm fine
程度 bga 包装, 400 mil soj 和 400 mil tsop 类型-ii
包装.
管脚 描述
soj 256k x 16-管脚 configuration (包装 j)
fp-bga 256k x 16 bump配置 (包装 x)
6 x 10 mm bump 程度
标识 描述
一个
0
–A
17
地址 输入
DQ
1
–DQ
16
数据 输入/输出
CE
碎片 使能 输入
LB
更小的 字节 使能 输入
(dq1 至 dq8)
UB
upper 字节 使能 输入
(dq9 至 dq16)
我们
写 使能 输入
OE
输出 使能 输入
V
DD
+3.3 v 电源 供应
V
SS
地面
NC 非 连接
123456
ALBOE 一个
0
一个
1
一个
2
NC
BDQ
16
UB 一个
3
一个
4
CE DQ
1
CDQ
14
DQ
15
一个
5
一个
6
DQ
2
DQ
3
DV
SS
DQ
13
一个
17
一个
7
DQ
4
V
DD
EV
DD
DQ
12
NC 一个
16
DQ
5
V
SS
FDQ
11
DQ
10
一个
8
一个
9
DQ
7
DQ
6
GDQ
9
NC 一个
10
一个
11
我们 DQ
8
HNCA
12
一个
13
一个
14
一个
15
NC
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
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25
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3
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20
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
CE
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
V
DD
V
SS
DQ
5
DQ6
DQ7
DQ
8
我们
一个
15
一个
14
一个
13
一个
5
一个
6
一个
7
OE
UB
LB
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
V
DD
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
一个
8
一个
9
一个
10
顶 视图
21
22
24
23
一个
12
一个
11
44-管脚
SOJ
一个
17
一个
16
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