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GT40T301
2002-01-18
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toshiba insulated 门 双极 晶体管  硅 n 频道 igbt
GT40T301
并行的 resonance 反相器 切换 产品
•
frd 包含 在 发射级 和 集电级
•
增强-模式
•
高 速 igbt : t
f
=
0.25 µs (典型值.) (i
C
= 40 一个)
 frd : t
rr
=
0.7 µs (典型值.) (di/dt =
−
20 一个/µs)
•
低 饱和 电压: v
ce (sat)
= 3.7 v (典型值.) (i
C
= 40 一个)
最大 比率
(ta
=
==
=
25°c)
特性 标识 比率 单位
集电级-发射级 电压 V
CES
1500 v
门-发射级 电压 V
GES
±
25 v
直流 i
C
40
集电级 电流
1 ms I
CP
80
一个
直流 i
ECF
30
发射级-集电级 向前
电流
1 ms I
ECPF
80
一个
集电级 电源 消耗 (tc
=
25°c)
P
C
200 w
接合面 温度 T
j
150 °c
存储 温度 范围 T
stg
−
55~150 °c
相等的 电路
单位: mm
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
toshiba 2-21f2c
重量: 9.75 g (典型值.)
集电级
门
发射级

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GT40T301 2002-01-18 1 toshiba insulated 门双极晶体管硅 n 频道 igbt GT40T301 并行的 resonance 反相器切换产品 • frd 包含在发射级和集电级 • 增强-模式 • 高速 igbt : t f = 0.25 µs (典型值.) (i C = 40 一个) frd : t rr = 0.7 µs (典型值.) (di/dt = − 20 一个/µs) • 低饱和电压: v ce (sat) = 3.7 v (典型值.) (i C = 40 一个) 最大比率 (ta = == = 25°c) 特性标识比率单位集电级-发射级电压 V CES 1500 v 门-发射级电压 V GES ± 25 v 直流 i C 40 集电级电流 1 ms I CP 80 一个直流 i ECF 30 发射级-集电级向前电流 1 ms I ECPF 80 一个集电级电源消耗 (tc = 25°c) P C 200 w 接合面温度 T j 150 °c 存储温度范围 T stg − 55~150 °c 相等的电路单位: mm 电子元件工业联合会 ― JEITA ― toshiba 2-21f2c 重量: 9.75 g (典型值.) 集电级门发射级

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