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GT40T301
2002-01-18
2
电的 特性
(ta
=
==
=
25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流 I
GES
V
GE
=
±
25 v, v
CE
=
0


±
500 na
集电级 截-止 电流 I
CES
V
CE
=
1500 v, v
GE
=
0


1.0 毫安
门-发射级 截-止 电压 V
ge (止)
I
C
=
40 毫安, v
CE
=
5 v 4.0

7.0 V
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce (sat)
I
C
=
40 一个, v
GE
=
15 v

3.7 5.0 V
输入 电容 C
ies
V
CE
=
10 v, v
GE
=
0, f
=
1 mhz

2900

pF
上升 时间 t
r

0.40

转变-在 时间 t
在

0.45

下降 时间 t
f

0.23 0.40
切换 时间
转变-止 时间 t
止

0.6

µ
s
发射级-集电级 向前 电压 V
ECF
I
ECF
=
30 一个, v
GE
=
0

1.9
2.5 v
反转 恢复 时间 t
rr
I
ECF
=
30 一个, v
GE
=
0, di/dt
=
−
20 一个/
µ
s

0.7
3.0
µ
s
IGBT
 
0.625
热的 阻抗 R
th (j-c)
二极管


1.25
°c/w
−
15 v
15 v
0
600 v
15
Ω
51
Ω

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GT40T301 2002-01-18 2 电的特性 (ta = == = 25°c) 特性标识测试情况最小值典型值最大值单位门泄漏电流 I GES V GE = ± 25 v, v CE = 0   ± 500 na 集电级截-止电流 I CES V CE = 1500 v, v GE = 0   1.0 毫安门-发射级截-止电压 V ge (止) I C = 40 毫安, v CE = 5 v 4.0  7.0 V 集电级-发射级饱和电压 V ce (sat) I C = 40 一个, v GE = 15 v  3.7 5.0 V 输入电容 C ies V CE = 10 v, v GE = 0, f = 1 mhz  2900  pF 上升时间 t r  0.40  转变-在时间 t 在  0.45  下降时间 t f  0.23 0.40 切换时间转变-止时间 t 止  0.6  µ s 发射级-集电级向前电压 V ECF I ECF = 30 一个, v GE = 0  1.9 2.5 v 反转恢复时间 t rr I ECF = 30 一个, v GE = 0, di/dt = − 20 一个/ µ s  0.7 3.0 µ s IGBT   0.625 热的阻抗 R th (j-c) 二极管   1.25 °c/w − 15 v 15 v 0 600 v 15 Ω 51 Ω

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