HA2-2522-2_集成电路资料查询网

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消逝 特性
消逝 维度:
67 毫英寸 x 57 毫英寸 x 19 毫英寸
(1700
µ
m x 1440
µ
m x 483
µ
m)
敷金属:
类型: al, 1% cu
厚度: 16k
Å
±
2k
Å
基质 潜在的:
Unbiased
passivation:
类型: 渗氮 (si
3
N
4
) 在 silox (sio
2
, 5% phos.)
silox 厚度: 12k
Å
±
2k
Å
渗氮 厚度: 3.5k
Å
±
1.5k
Å
晶体管 计数:
40
处理:
双极 dielectric 分开
敷金属 掩饰 布局
ha-2520, ha-2522, ha-2525
图示 18. 输出 电压 摆动 vs 频率 图示 19. NORMALIZED 交流 参数 vs 供应
电压
典型 效能 曲线
V
S
=
±
15v, t
一个
= 25
o
c, 除非 否则 speciﬁed
(持续)
10K 100K 1M 10M
频率 (hz)
35
30
25
20
15
10
5
0
输出 电压 摆动 (v
p-p
)
V
供应
=
±
20V
V
供应
=
±
10V
V
供应
=
±
15V
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
R
L
= 2k
Ω
C
L
= 50pf
带宽
积极的
回转 比率
负的
回转 比率
normalized 至
±
15v 数据
供应 电压 (
±
v)
205791113151719
竞赛 V+ 输出 BAL
BAL -在 +IN v-
ha-2520, ha-2522, ha-2525

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7 消逝特性消逝维度: 67 毫英寸 x 57 毫英寸 x 19 毫英寸 (1700 µ m x 1440 µ m x 483 µ m) 敷金属: 类型: al, 1% cu 厚度: 16k Å ± 2k Å 基质潜在的: Unbiased passivation: 类型: 渗氮 (si 3 N 4 ) 在 silox (sio 2 , 5% phos.) silox 厚度: 12k Å ± 2k Å 渗氮厚度: 3.5k Å ± 1.5k Å 晶体管计数: 40 处理: 双极 dielectric 分开敷金属掩饰布局 ha-2520, ha-2522, ha-2525 图示 18. 输出电压摆动 vs 频率图示 19. NORMALIZED 交流参数 vs 供应电压典型效能曲线 V S = ± 15v, t 一个 = 25 o c, 除非否则 speciﬁed (持续) 10K 100K 1M 10M 频率 (hz) 35 30 25 20 15 10 5 0 输出电压摆动 (v p-p ) V 供应 = ± 20V V 供应 = ± 10V V 供应 = ± 15V 1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 R L = 2k Ω C L = 50pf 带宽积极的回转比率负的回转比率 normalized 至 ± 15v 数据供应电压 ( ± v) 205791113151719 竞赛 V+ 输出 BAL BAL -在 +IN v- ha-2520, ha-2522, ha-2525

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