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资料编号:367963
 
资料名称:HAT2025R
 
文件大小: 51.78K
   
说明
 
介绍:
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HAT2025R
3
主要的 特性
4.0
3.0
2.0
1.0
0
50 100 150 200
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
0.3 1 3 10 30 100
20
16
12
8
4
0
246810
10V
5 v
4.5 v
4 v
50
40
30
20
10
0
2468
10
ta = 25 °c
1 shot 脉冲波
1 ms
pw = 10 ms
10 µs
100 µs
3 v
v = 2.5 v
GS
频道 消耗 pch (w)
包围的 温度 ta (°c)
电源 vs. 温度 减额
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
最大 safe 运作 范围
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
典型 输出 特性
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 电流 i (一个)
D
典型 转移 特性
便条 4 :
当 使用 这 glass 环氧的 板
(fr4 40x40x1.6 mm)
脉冲波 测试
测试 情况 :
当 使用 这 glass 环氧的 板
(fr4 40x40x1.6 mm), pw < 10 s
运作 在
这个 范围 是
限制 用 r
ds(在)
便条 4
直流 运作 (pw < 10 s)
5 v
3.5 v
tc = 75°c
25°C
–25°C
v = 10 v
脉冲波 测试
DS
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