HAT2025R_集成电路资料查询网

HAT2025R
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0.2 0.5 1 2 5 100.1
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v      = 0
f = 1 mhz
GS
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4 8 12 16 20
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0.2 0.5 1 2 5 100.1
di/dt = 20 一个/µs
v      = 0,  ta = 25°c
GS
反转 流 电流    i        (一个)
DR
反转 恢复 时间   trr  (ns)
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
电容   c  (pf)
流 至 源 电压   v        (v)
DS
典型 电容 vs.
流 至 源 电压
门 承担     qg   (nc)
流 至 源 电压    v        (v)
DS
门 至 源 电压    v        (v)
GS
动态 输入 特性
流 电流    i      (一个)
D
切换 时间   t  (ns)
切换 特性
20
16
12
8
4
Ciss
Coss
Crss
V
GS
V
DS
i    = 8 一个
D
v      = 5 v
10 v
25 v
DD
v      = 25 v
10 v
5 v
DD
20
10
1000
t
f
r
t
d(止)
t
d(在)
t
v      = 4 v, v      = 10 v
pw = 3 µs, 职责 < 1 %
GS
DD

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HAT2025R 5 0.2 0.5 1 2 5 100.1 500 200 100 20 50 10 5 01020304050 10000 3000 1000 300 100 30 10 v = 0 f = 1 mhz GS 50 40 30 20 10 0 4 8 12 16 20 0 50 200 500 100 0.2 0.5 1 2 5 100.1 di/dt = 20 一个/µs v = 0, ta = 25°c GS 反转流电流 i (一个) DR 反转恢复时间 trr (ns) body–drain 二极管反转恢复时间电容 c (pf) 流至源电压 v (v) DS 典型电容 vs. 流至源电压门承担 qg (nc) 流至源电压 v (v) DS 门至源电压 v (v) GS 动态输入特性流电流 i (一个) D 切换时间 t (ns) 切换特性 20 16 12 8 4 Ciss Coss Crss V GS V DS i = 8 一个 D v = 5 v 10 v 25 v DD v = 25 v 10 v 5 v DD 20 10 1000 t f r t d(止) t d(在) t v = 4 v, v = 10 v pw = 3 µs, 职责 < 1 % GS DD

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