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资料编号:367981
 
资料名称:HAT1016R
 
文件大小: 56.32K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HAT1016R
3
主要的 特性
4.0
3.0
2.0
1.0
0
50 100 150 200
–0.1
–100
–10
–1
–0.1
–0.01
–0.3 –1 –3 –10 –30 –100
–30
–3
–0.3
–0.03
10 µs
100 µs
pw = 10 ms
1 ms
–20
–16
–12
–8
–4
0
–2 –4 –6 –8 –10
–10 v
–4 v
–20
–16
–12
–8
–4
0
–1
–2 –3 –4 –5
–2.5 v
v = –2 v
GS
–3.5 v
–5 v
–8 v
–6 v
–4.5 v
–3 v
tc = 75 °c
–25 °c
25 °c
频道 消耗 pch (w)
包围的 温度 ta (°c)
电源 vs. 温度 减额
测试 情况 :
当 使用 这 glass 环氧的 板
(fr4 40x40x1.6 mm), pw < 10 s
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
最大 safe 运作 范围
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
典型 输出 特性
脉冲波 测试
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 电流 i (一个)
D
典型 转移 特性
v = –10 v
脉冲波 测试
DS
便条 5 :
当 使用 这 glass 环氧的 板
(fr4 40 x 40 x 1.6 mm)
便条 5
直流 运作 (pw < 10 s)
2 驱动 运作
1 驱动 运作
运作 在
这个 范围 是
限制 用 r
ds(在)
ta = 25 °c
1 shot 脉冲波
1 驱动 运作
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