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资料编号:367981
 
资料名称:HAT1016R
 
文件大小: 56.32K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HAT1016R
4
–0.5
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
0
–2 –4
–6
–8 –10
1
0.2
0.5
0.1
0.02
0.05
0.01
–20
–0.2 –0.5 –1 –2 –5 –10
–10 v
v = –4 v
GS
–40 0 40 80 120 160
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0
i = –0.5, –1, –2 一个
D
20
10
2
5
1
0.2
0.5
–0.2 –0.5 –1 –2 –5 –10 –20
–0.5 一个
D
i = –2 一个
–1 一个
–10 v
v = –4 v
GS
–0.5, –1, –2 一个
tc = –25 °c
75 °c
25 °c
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 至 源 饱和 电压 vs.
门 至 源 电压
v (v)
ds(在)
流 至 源 饱和 电压
脉冲波 测试
流 电流 i (一个)
D
流 至 源 在 状态 阻抗
r ( )
ds(在)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 流 电流
脉冲波 测试
情况 温度 tc (°c)
r ( )
ds(在)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 温度
脉冲波 测试
向前 转移 admittance |y | (s)
fs
向前 转移 admittance vs.
流 电流
流 电流 i (一个)
D
v = –10 v
脉冲波 测试
DS
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