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资料编号:371204
 
资料名称:HCT10
 
文件大小: 33.85K
   
说明
 
介绍:
Triple 3-Input NAND Gate(High-Performance Silicon-Gate CMOS)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
SL74HCT10
系统 逻辑
半导体
SLS
最大 比率
*
标识 参数 单位
V
CC
直流 供应 电压 (关联 至 地) -0.5 至 +7.0 V
V
IN
直流 输入 电压 (关联 至 地) -1.5 至 v
CC
+1.5 V
V
输出
直流 输出 电压 (关联 至 地) -0.5 至 v
CC
+0.5 V
I
直流 输入 电流, 每 管脚
±
20 毫安
I
输出
直流 输出 电流, 每 管脚
±
25 毫安
I
CC
直流 供应 电流, v
CC
和 地 管脚
±
50 毫安
P
D
电源消耗 在 安静的 空气, 塑料 dip+
soic package+
750
500
mW
Tstg 存储 温度 -65 至 +150
°
C
T
L
含铅的 温度, 1 mm 从 情况 为 10 秒
(塑料 插件 或者 soic 包装)
260
°
C
*
最大 比率 是那些 值 在之外 这个 损坏 至 这 设备 将 出现.
函数的 运作 应当 是 restricted 至 这 推荐 运行 情况.
+Derating-塑料 插件:-10 mw/
°
c 从 65
°
至 125
°
C
soic 包装: :-7 mw/
°
c 从 65
°
至 125
°
C
推荐 ope比率 情况
标识 参数 最小值 最大值 单位
V
CC
直流 供应 电压 (关联 至 地) 4.5 5.5 V
V
, v
输出
直流 输入 电压, 输出 电压 (关联 至 地) 0 V
CC
V
T
一个
运行 温度, 所有 包装 类型 -55 +125
°
C
t
r
, t
f
输入 上升 和 fall 时间 (图示 1) 0 500 ns
这个 设备 包含 保护 电路系统 至 守卫 相反 损坏 预定的 至 高 静态的 电压 或者 electric
地方. 不管怎样, 预防措施 必须 是 带去 至 避免 产品 的 任何 电压 高等级的 比 最大 评估
电压 至 this 高-阻抗 电路. 为 恰当的 运作, v
和 v
输出
应当 是 constrained 至 这 范围
(v
或者 v
输出
)
V
CC
.
unused 输入 必须 总是 是 系 至 一个 适合的 逻辑 电压 水平的 (e.g., 也 地 或者 v
CC
).
unused 输出 必须 是 left 打开.
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