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资料编号:371204
资料名称:
HCT10
文件大小: 33.85K
说明
:
介绍
:
Triple 3-Input NAND Gate(High-Performance Silicon-Gate CMOS)
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
SL
74HCT10
系统 逻辑
半导体
SLS
直流 电的 特性
(电压 关联 至 地)
V
CC
有保证的 限制
标识
参数
测试 情况
V
25
°
C
至
-
55
°
C
≤
85
°
C
≤
125
°
C
单位
V
IH
最小 高
-
水平的
输入 电压
V
输出
=0.1 v 或者 v
CC
-
0.1 v
I
输出
≤
20
µ
一个
4.5
5.5
2.0
2.0
2.0
2.0
2.
0
2.0
V
V
IL
最大 低
-
水平的
输入 电压
V
输出
=0.1 v 或者 v
CC
-
0.1 v
I
输出
≤
20
µ
一个
4.5
5.5
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
V
V
OH
最小 高
-
水平的
输出 电压
V
在
=V
IH
或者 v
IL
I
输出
≤
20
µ
一个
4.5
5.5
4.4
5.4
4.4
5.4
4.4
5.4
V
V
在
=V
IH
或者 v
IL
I
输出
≤
4.0 毫安
4.5
3.98
3.84
3.7
V
OL
最大 低
-
水平的
输出 电压
V
在
=V
IH
I
输出
≤
20
µ
一个
4.5
5.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
V
在
=V
IH
I
输出
≤
4.0 毫安
4.5
0.26
0.33
0.4
I
在
最大 输入
泄漏 电流
V
在
=V
CC
或者 地
5.5
±
0.1
±
1.0
±
1.0
µ
一个
I
CC
最大
安静的
供应 电流
每 包装)
V
在
=V
CC
或者 地
I
输出
=0
µ
一个
5.5
2.0
20
40
µ
一个
∆
I
CC
额外的 安静的
供应 电流
V
在
= 2.4 v, 任何 一个 输入
V
在
=V
CC
或者 地, 其它
输入
≥
-
55
°
C
25
°
c 至
125
°
C
毫安
I
输出
=0
µ
一个
5.5
2.9
2.4
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