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资料编号:371204
 
资料名称:HCT10
 
文件大小: 33.85K
   
说明
 
介绍:
Triple 3-Input NAND Gate(High-Performance Silicon-Gate CMOS)
 
 


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SL74HCT10
系统 逻辑
半导体
SLS
直流 电的 特性
(电压 关联 至 地)
V
CC
有保证的 限制
标识 参数 测试 情况 V 25
°
C
-55
°
C
85
°
C
125
°
C
单位
V
IH
最小 高-水平的
输入 电压
V
输出
=0.1 v 或者 v
CC
-0.1 v
I
输出
20
µ
一个
4.5
5.5
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
V
V
IL
最大 低-水平的
输入 电压
V
输出
=0.1 v 或者 v
CC
-0.1 v
I
输出
20
µ
一个
4.5
5.5
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
V
V
OH
最小 高-水平的
输出 电压
V
=V
IH
或者 v
IL
I
输出
20
µ
一个
4.5
5.5
4.4
5.4
4.4
5.4
4.4
5.4
V
V
=V
IH
或者 v
IL
I
输出
4.0 毫安
4.5
3.98
3.84
3.7
V
OL
最大 低-水平的
输出 电压
V
=V
IH
I
输出
20
µ
一个
4.5
5.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
V
=V
IH
I
输出
4.0 毫安
4.5
0.26
0.33
0.4
I
最大 输入
泄漏 电流
V
=V
CC
或者 地 5.5
±
0.1
±
1.0
±
1.0
µ
一个
I
CC
最大安静的
供应 电流
每 包装)
V
=V
CC
或者 地
I
输出
=0
µ
一个
5.5 2.0 20 40
µ
一个
I
CC
额外的 安静的
供应 电流
V
= 2.4 v, 任何 一个 输入
V
=V
CC
或者 地, 其它
输入
-55
°
C 25
°
c 至
125
°
C
毫安
I
输出
=0
µ
一个 5.5 2.9 2.4
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