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资料编号:377124
 
资料名称:HGTP3N60A4
 
文件大小: 113.52K
   
说明
 
介绍:
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
 
 


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图示 5. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 图示 6. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
图示 7. 转变-在 活力 丧失 vs 集电级
发射级 电流
图示 8. 转变-止 活力 丧失 vs 集电级
发射级 电流
图示 9. 转变-在 延迟 时间 vs 集电级
发射级 电流
图示 10. 转变-在 上升 时间 vs 集电级
发射级 电流
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
023
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
4
8
45
16
12
20
1
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 150
o
C
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 < 0.5%, v
GE
= 12v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
0
4
8
16
12
20
02341
职责 循环 < 0.5%, v
GE
= 15v
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
T
J
= 125
o
C
E
ON2
, 转变-在 活力 丧失 (
µ
j)
160
80
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
120
40
200
32456
0
1
240
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v, v
GE
= 15v
T
J
= 125
o
c, v
GE
= 12v, v
GE
= 15v
R
G
= 50
,l = 1mh, v
CE
= 390v
120
E
, 转变-止 活力 丧失 (
µ
j)
0
20
80
40
100
140
60
324561
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
T
J
= 125
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
R
G
= 50
, l = 1mh, v
CE
= 390v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
d(在)i
, 转变-在 延迟 时间 (ns)
0
12
16
2
1
3456
8
4
T
J
= 25
o
c, t
J
= 125
o
c, v
GE
= 15v
R
G
= 50
, l = 1mh, v
CE
= 390v
T
J
= 25
o
c, t
J
= 125
o
c, v
GE
= 12v
1
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
rI
, 上升 时间 (ns)
4
8
20
16
12
24
32
28
324561
T
J
= 25
o
c 或者 t
J
= 125
o
c, v
GE
= 15v
R
G
= 50
, l = 1mh, v
CE
= 390v
T
J
= 25
o
c 或者 t
J
= 125
o
c, v
GE
= 12v
hgtd3n60a4s, hgt1s3n60a4s, hgtp3n60a4
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