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资料编号:377124
 
资料名称:HGTP3N60A4
 
文件大小: 113.52K
   
说明
 
介绍:
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
5
图示 11. 转变-止 延迟 时间 vs 集电级
发射级 电流
图示 12. 下降 时间 vs 集电级 发射级
电流
图示 13. 转移 典型的 图示 14. 门 承担 波形
图示 15. 总的 切换 丧失 vs 情况
温度
图示 16. 总的 切换 丧失 vs 门 阻抗
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
64
48
56
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
d(止)i
, 转变-止 延迟 时间 (ns)
112
80
96
72
213456
88
104
R
G
= 50
, l = 1mh,
V
CE
= 390v
V
GE
= 12v, t
J
= 25
o
C
V
GE
= 15v, t
J
= 25
o
C
V
GE
= 15v, t
J
= 125
o
C
V
GE
= 12v, t
J
= 125
o
C
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
fI
, 下降 时间 (ns)
48
40
64
80
56
72
88
96
213456
T
J
= 125
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
R
G
= 50
, l = 1mh, v
CE
= 390v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
8
12
46810 14
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
12
16
20
4
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 < 0.5%, v
CE
= 10v
T
J
= 125
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
Q
G
, 门 承担 (nc)
2
14
0
4
10
6
8
12
16
4 8 12 16 2420 280
V
CE
= 600v
V
CE
= 400v
V
CE
= 200v
I
g(ref)
= 1ma, r
L
= 100
, t
J
= 25
o
C
0
50
100
50 75 100
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
150
12525 150
250
200
E
总的
, 总的 切换 活力 丧失 (
µ
j)
R
G
= 50
, l = 1mh, v
CE
= 390v, v
GE
= 15v
I
CE
= 4.5a
I
CE
= 3a
I
CE
= 1.5a
E
总的
= e
ON2
+ e
30
10 100
R
G
, 门 阻抗 (
)
100
3 1000
E
总的
, 总的 切换 活力 丧失 (
µ
j)
1000
I
CE
= 4.5a
I
CE
= 3a
I
CE
= 1.5a
T
J
= 125
o
c, l = 1mh, v
CE
= 390v, v
GE
= 15v
E
总的
= e
ON2
+ e
hgtd3n60a4s, hgt1s3n60a4s, hgtp3n60a4
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