©2002 仙童 半导体 公司 hgtp14n40f3vl / hgt1s14n40f3vls rev. b1, 二月 2002
hgtp14n40f3vl / hgt1s14n40f3vls
包装 标记 和 订货 信息
电的 特性
T
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出
止 状态 特性
在 状态 特性
切换 特性
热的 特性
设备 标记 设备 包装 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
14N40FVL HGT1S14N40F3VLT 至-263ab 24mm 24mm 800 单位
14N40FVL HGT1S14N40F3VLS 至-263ab Tube n/一个 50 单位
14N40FVL HGTP14N40F3VL 至-220ab Tube n/一个 50 单位
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CES
集电级 至 发射级 损坏 电压 I
C
= 10ma,
V
GE
= 0
T
C
= 150
°
C 345 370 415 V
T
C
= 25
°
C 350 375 420 V
T
C
= -40
°
C 355 380 425 V
BV
ce(cl)
集电级 至 发射级 clamp 损坏
电压
I
C
= 10a,
R
G
= 0
T
C
= 150
°
C 350 385 430 V
BV
ECS
发射级 至 集电级 损坏 电压 I
C
= 1ma T
C
= 25
°
C24 - - V
BV
GES
门 至 发射级 损坏 电压 I
GES
= ±1ma ±12 - - V
I
CES
集电级 至 发射级 泄漏 电流 V
CE
= 250v, T
C
= 25
°
c- - 50 µA
T
C
= 150
°
C - - 250 µA
I
GES
门 至 发射级 泄漏 电流 V
GE
= ±10v T
C
= 25
°
C - - ±10 µA
R
1
序列 门 阻抗 - 1000 -
Ω
V
ce(sat)
集电级 至 发射级 饱和 电压 I
C
= 10a,
V
GE
= 4.5v
T
C
= 25
°
c- 1.32.0v
T
C
= 150
°
c- 1.4 2.3 V
V
ge(th)
门 至 发射级 门槛 电压 I
C
= 1ma,
V
CE
= v
GE
T
C
= 25
°
c1.0 - 2.0 V
T
C
= 150
°
c0.5 - - V
t
d(止)l
+
t
f(止)l
电流 转变-止 时间-inductive 加载 I
C
= 6.5a,
R
G
= 25
Ω,
l = 550µhy, v
CL
= 320v,
V
GE
= 5v, t
C
= 25
°
C
-1216µs
SCIS 自 clamped inductive 切换 l = 2.3mhy,
V
GE
= 5v, 看
图. 1 &放大; 2
T
C
= 25
°
C17 - - 一个
T
C
= 150
°
C12 - - 一个
R
θ
JC
热的 阻抗 接合面 至 情况 - - 0.57
°
c/w
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