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资料编号:377175
 
资料名称:HGT1S14N40F3VLS
 
文件大小: 147.41K
   
说明
 
介绍:
330mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
 
 


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©2002 仙童 半导体 公司
january 2002
hgtp14n40f3vl / hgt1s14n40f3vls rev. b1, 二月 2002
hgtp14n40f3vl / hgt1s14n40f3vls
hgtp14n40f3vl / hgt1s14n40f3vls
330mJ
,
400v, n-频道
ignition igbt
一般 描述
这个 n-频道 igbt 是 一个 mos gated, 逻辑 水平的 设备
这个 是 将 至 是 使用 作 一个 ignition coil 驱动器 在 au-
电压 clamp 在 这 流 和 这 门 和 静电释放 pro-
tection 为 这 逻辑 水平的 门. 一些 规格 是
唯一的 至 这个 automotive 应用 和 是 将 至
使确信 设备 survival 在 这个 harsh 环境.
产品
automotive ignition coil 驱动器 电路
coil-在 plug 产品
特性
逻辑 水平的 门 驱动
内部的 电压 clamp
静电释放 门 保护
•max t
J
= 175
o
C
scis 活力 = 330mj 在 t
J
= 25
o
C
设备 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
BV
CES
集电级 至 发射级 损坏 电压 (i
C
= 1 毫安) 420 V
BV
CGR
集电级 至 门 损坏 电压 (r
GE
= 10k
) 420 V
E
SCIS25
流 至 源 avalanche 活力 在 l = 2.3mhy, t
C
= 25°c 330 mJ
I
C25
集电级 电流 持续的, 在 t
C
= 25°c, v
GE
= 4.5v 38 一个
I
C90
集电级 电流 持续的, 在 t
C
= 90°c, v
GE
= 4.5v 35 一个
V
GES
门 至 发射级 电压 持续的 ±10 V
V
GEM
门 至 发射级 电压 搏动 ±12 V
I
CO
l = 2.3mhy, t
C
= 25°c 17 一个
I
CO
l = 2.3mhy, t
C
= 150°c 12 一个
P
D
电源 消耗 总的 t
C
= 25°c 262 W
电源 消耗 减额 t
C
> 25°c 1.75 w/°c
T
j,
T
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -40 至 175 °C
T
L
最大值 含铅的 温度 为 焊接 (leads 在 1.6mm 从 情况 为 10s) 300 °C
T
pkg
最大值 含铅的 温度 为 焊接 (包装 身体 为 10s) 260 °C
静电释放 静电的 释放 电压 在 100pf, 1500
6KV
包装
电子元件工业联合会 至-263ab
集电级
(flange)
d² -pak
集电级
发射级
R
1
标识
集电级
(flange)
G
C
E
电子元件工业联合会 至-220ab
E
G
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