3-62
specifications hgtp15n40c1, 40e1, 50c1, 50e1, hgth20n40c1, 40e1, 50c1, 50e1
电的 specifications
T
C
= +25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况
限制
单位
hgth20n40c1, e1,
hgtp15n40c1, e1
hgth20n50c1, e1,
hgtp15n50c1, e1
最小值 最大值 最小值 最大值
集电级-发射级 损坏
电压
BV
CES
I
C
= 1ma, v
GE
= 0 400 - 500 - V
门 门槛 电压 V
ge(th)
V
GE
= v
CE
, i
C
= 1ma 2.0 4.5 2.0 4.5 V
零-门 电压 集电级
电流
I
CES
V
CE
= 400v, t
C
= +25
o
C - 250 - -
µ
一个
V
CE
= 500v, t
C
= +25
o
C ---250
µ
一个
V
CE
= 400v, t
C
= +125
o
C - 1000 - -
µ
一个
V
CE
= 500v, t
C
= +125
o
C - - - 1000
µ
一个
门-发射级 泄漏 电流 I
GES
V
GE
=
±
20v, v
CE
= 0 - 100 - 100 nA
反转 集电级-发射级
泄漏 电流
I
CE
R
GE
= 0
Ω
, v
EC
= 5v - -5 - -5 毫安
集电级-发射级 在 电压 V
ce(在)
I
C
= 20a, v
GE
= 10v - 2.5 - 2.5 V
I
C
= 35a, v
GE
= 20v - 3.2 - 3.2 V
门-发射级 plateau 电压 V
GEP
I
C
= 10a, v
CE
= 10v - 6 (典型值) - 6 (典型值) V
在-状态 门 承担 Q
g(在)
I
C
= 10a, v
CE
= 10v - 33 (典型值) - 33 (典型值) nC
转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
I
C
= 20a, v
ce(clp)
= 300v,
l = 25
µ
h, t
J
= +100
o
c,
V
GE
= 10v, r
G
= 25
Ω
- 50 - 50 ns
上升 时间 t
RI
- 50 - 50 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
- 400 - 400 ns
下降 时间 t
FI
40e1, 50e1 680 (典型值) 1000 680 (典型值) 1000 ns
40c1, 50c1 400 500 400 500 ns
转变-止 活力 丧失 每 循环
(止 切换 消耗 =
W
止
x 频率)
W
止
I
C
= 10a, v
ce(clp)
= 300v,
l = 25
µ
h, t
J
= +100
o
c,
V
GE
= 10v, r
G
= 25
Ω
40e1, 50e1 1810 (典型值)
µ
J
40c1, 50c1 1070 (典型值)
µ
J
热的 阻抗
接合面-至-情况
R
θ
JC
hgth, hgtm - 1.25 - 1.25
o
c/w
HGTP - 1.67 - 1.67
o
c/w
intersil 公司 igbt 产品 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权:
4,364,073 4,417,385 4,430,792 4,443,931 4,466,176 4,516,143 4,532,534 4,567,641
4,587,713 4,598,461 4,605,948 4,618,872 4,620,211 4,631,564 4,639,754 4,639,762
4,641,162 4,644,637 4,682,195 4,684,413 4,694,313 4,717,679 4,743,952 4,783,690
4,794,432 4,801,986 4,803,533 4,809,045 4,809,047 4,810,665 4,823,176 4,837,606
4,860,080 4,883,767 4,888,627 4,890,143 4,901,127 4,904,609 4,933,740 4,963,951
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