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资料编号:377203
 
资料名称:HGTP15N50C1
 
文件大小: 35.53K
   
说明
 
介绍:
15A, 20A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
 
 


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3-63
hgtp15n40c1, 40e1, 50c1, 50e1, hgth20n40c1, 40e1, 50c1, 50e1
典型 效能 曲线
图示 1. 最大值 切换 电流 水平的. r
G
= 25
,
V
GE
= 0v 是 这 最小值 容许的 值
图示 2. 电源 消耗 vs 温度 减额
曲线
图示 3. 典型 normalized 门 门槛 volt-
age vs 接合面 温度
图示 4. 典型 转移 特性
图示 5. 典型 饱和 特性 图示 6. 典型 集电级-至-发射级 在-电压
vs 集电级 电流
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-75 -50 -25 0 +25 +50 +75 +100 +125 +150 +175
I
CE
, 集电级 电流 (一个)
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
V
GE
= 10v, r
GEN
= r
GS
= 50
100
80
60
40
20
0 +25 +50 +75 +100 +125 +150
评估 电源 消耗 (%)
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50 0 +50 +100 +150
normalized 门 门槛 电压
T
C
, 接合面 温度 (
o
c)
V
GE
= v
CE
, i
C
= 1ma
35
30
25
20
15
10
5
0 2.5 5.0 7.5 10.0
I
CE
, 集电级 电流 (一个)
V
GE
, 门-至-发射级 电压 (v)
脉冲波 测试, v
CE
= 10v
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
-40
o
C
+25
o
C
+125
o
C
0
35
30
25
20
15
10
5
012345
I
CE
, 集电级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级-至-发射级 电压 (v)
V
GE
= 20v
V
GE
= 10v
V
GE
= 8v
V
GE
= 7v
V
GE
= 6v
V
GE
= 5v
V
GE
= 4v
T
C
= +25
o
C
0
35
30
25
20
15
10
5
01234
I
CE
, 集电级 电流 (一个)
V
ce(在)
, 集电级-至-发射级 电压 (v)
脉冲波 测试, v
GE
= 10v
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
+25
o
C
0
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