3-72
specifications hgtg20n50c1d
电的 specifications
T
C
= +25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况
限制
UNITSMIN 最大值
集电级-发射级 损坏 电压 BV
CES
I
C
= 1ma, v
GE
= 0v 500 - V
门 门槛 电压 V
ge(th)
V
GE
= v
CE
, i
C
= 1ma 2 4.5 V
零 门 电压 集电级 电流 I
CES
V
CE
= 500v - 250
µ
一个
T
C
= +125
o
c, v
CE
= 500v - 1000
µ
一个
门-发射级 泄漏 电流 I
GES
V
GE
=
±
20v, v
CE
= 0v - 100 nA
集电级-发射级 在-电压 V
ce(sat)
I
C
= 20a, v
GE
= 10v - 2.5 V
I
C
= 35a, v
GE
= 20v - 3.2 V
门-发射级 plateau 电压 V
GEP
I
C
= 10a, v
CE
= 10v - 6 (典型值) V
在-状态 门 承担 Q
g(在)
I
C
= 10a, v
CE
= 10v - 33 (典型值) nC
转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
I
C
= 20a, v
ce(clp)
= 300v, l = 25
µ
h,
T
J
= +100
o
c, v
GE
= 10v, r
G
= 25
Ω
-50ns
上升 时间 t
RI
-50ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
- 400 ns
下降 时间 t
FI
400 (典型值) 500 ns
转变-止 活力 丧失 每 循环 (止 切换
消耗 = w
止
x 频率)
W
止
I
C
= 20a, v
ce(clp)
= 300v, l = 25
µ
h,
T
J
= +100
o
c, v
GE
= 10v, r
G
= 25
Ω
1070 (典型值)
µ
J
热的 阻抗 接合面-至-情况 (igbt) R
θ
JC
- 1.25
o
c/w
热的 阻抗 的 二极管 R
θ
JC
- 1.5 ns
二极管 向前 电压 V
EC
I
EC
= 20a - 1.8 V
二极管 反转 恢复 时间 t
RR
I
EC
= 20a, di
EC
/dt = 100a/
µ
s - 60 ns
典型 效能 曲线
图示 1. 电源 消耗 vs 温度
减额 曲线
图示 2. 典型 normalized 门-门槛
电压 vs 接合面 温度
100
80
60
40
20
评估 电源 消耗 (%)
0 +25 +50 +75 +100 +125+150
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
+150
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
normalized 门 门槛 电压 (v)
-50 0 +50 +100 +150
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
V
GE
= v
CE
, i
C
= 1ma
: 点此下载
