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资料编号:377216
 
资料名称:HGTG20N50C1D
 
文件大小: 33.26K
   
说明
 
介绍:
20A, 500V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode
 
 


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3-75
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republic 的 中国
电话: (886) 2 2716 9310
传真: (886) 2 2715 3029
HGTG20N50C1D
图示 15. 向前 电压 vs 向前 电流 典型的
测试 电路
图示 16. inductive 切换 测试 电路
典型 效能 曲线
(持续)
100
10
1.0
0.1
0.01
I
EC
, 发射级-集电级 电流 (一个)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
V
EC
, 发射级-集电级 电压 (v)
T
J
= +150
o
C
T
J
= +100
o
C
T
J
= +25
o
C
20V
0V
R
GEN
= 50
1/r
G
= 1/r
GEN
+ 1/r
GE
R
GE
= 50
l = 25
µ
H
V
CE
(clp) =
R
L
= 4
300V
80V
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