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资料编号:381420
 
资料名称:HM1-65262-9
 
文件大小: 41.65K
   
说明
 
介绍:
16K x 1 Asynchronous CMOS Static RAM
 
 


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6-4
交流 电的 specifications
V
CC
= 5v 10%,T
一个
= -40
o
c 至 +85
o
c (hm-65262b-9, hm-65262-9, hm-65262c-9)
标识 参数
限制
单位
测试
情况
hm-65262b-9 hm-65262-9
hm-65262c-9
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
读 循环
(1) TAVAX 读/循环 时间 70 - 85 - 85 - ns
(注释 1, 3)
(2) TAVQV 地址 进入 时间 - 70 - 85 - 85 ns
(注释 1, 3)
(3) TELQV 碎片 使能 进入 时间 - 70 - 85 - 85 ns
(注释 1, 3)
(4) TELQX 碎片 使能 输出 使能
时间
5-5-5-ns
(注释 2, 3)
(5)
TEHQX
碎片 使不能运转 输出 支撑
时间
5-5-5-ns
(注释 2, 3)
(6) TAXQX 地址 invalid 输出 支撑
时间
5-5-5-ns
(注释 2, 3)
(7) TEHQZ 碎片 使能 输出 使不能运转
时间
-30-30-30ns
(注释 2, 3)
写 循环
(8) TAVAX 写 循环 时间 70 - 85 - 85 - ns
(注释 1, 3)
(9) TELWH 碎片 选择 至 终止 的
55 - 65 - 65 - ns
(注释 1, 3)
(10) TWLWH 写 使能 脉冲波 宽度 40 - 45 - 45 - ns
(注释 1, 3)
(11) TAVWL 地址 建制 时间 0 - 0 - 0 - ns
(注释 1, 3)
(12) TWHAX 地址 支撑 时间 0 - 0 - 0 - ns
(注释 1, 3)
(13) TDVWH 数据 建制 时间 30 - 35 - 35 - ns
(注释 1, 3)
(14) TWHDX 数据 支撑 时间 0 - 0 - 0 - ns
(注释 1, 3)
(15) TWLQZ 写 使能 输出 使不能运转
时间
-30-30-30ns
(注释 2, 3)
(16) TWHQX 写 使不能运转 输出 使能
时间
0-0-0-ns
(注释 2, 3)
(17) TAVWH 地址 有效的 至 终止 的 写 55 - 65 - 65 - ns
(注释 1, 3)
(18) TAVEL 地址 建制 时间 0 - 0 - 0 - ns
(注释 1, 3)
(19) TEHAX 地址 支撑 时间 0 - 0 - 0 - ns
(注释 1, 3)
(20) TAVEH 地址 有效的 至 终止 的 写 55 - 65 - 65 - ns
(注释 1, 3)
(21) TELEH 使能 脉冲波 宽度 55 - 65 - 65 - ns
(注释 1, 3)
(22) TWLEH 写 使能 脉冲波 建制
时间
40 - 45 - 45 - ns
(注释 1, 3)
(23) TDVEH 碎片 建制 时间 30 - 35 - 35 0 ns
(注释 1, 3)
(24) TEHDX 数据 支撑 时间 0 - 0 - 0 - ns
(注释 1, 3)
注释:
1. 输入 脉冲波 水平: 0 至 3.0v; 输入 上升 和 下降 时间: 5ns (最大值); 输入 和 输出 定时 涉及 水平的: 1.5v; 输出 加载: 1 ttl 门
相等的 和 c
L
= 50pf (最小值) - 为 c
L
更好 比 50pf, 进入 时间 是 derated 用 0.15ns 每 pf.
2. 测试 在 最初的 设计 和 之后 主要的 设计 改变.
3. V
CC
= 4.5 和 5.5v.
hm-65262
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