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低 电压 数据 保持
intersil cmos rams 是 设计 和 电池 backup 在
mind. 数据 保持 电压 和 供应 电流 是 guaran-
teed 在 温度. 这 下列的 rules 确保 数据
保持:
1. 碎片 使能 (
e) 必须 是 使保持 高 在 数据 保持;
在里面 v
CC
至 v
CC
+0.3v.
2. 在 rams 这个 有 选择 或者 输出 使能 (e.g., s,
g), 一个 的 这 选择 或者 输出 使能 应当 是 使保持 在
这 deselected 状态 至 保持 这 内存 输出 高
阻抗, 降低 电源 消耗.
3. 输入 这个 是 至 是 使保持 高 (e.g.,
e) 必须 是 保持
在 v
CC
+0.3v 和 70% 的 v
CC
在 这 电源
向上 和 向下 transitions.
4. 这 内存 能 begin 运作 > 55ns 之后 v
CC
reaches
这 最小 运行 电压 (4.5v).
便条:
1. 在 这个 模式, w rises 之后 e. 如果 w falls 在之前 e 用 一个 时间 exceeding twlqz (最大值) telqx (最小值), 和 rises 之后 e 用 一个 时间 exceeding
tehqz (最大值) twhqz (最小值), 然后 q 将 仍然是 在 这 高 阻抗 状态 全部地 这 循环.
图示 4. 写 循环 2: 控制 用 e (early 写)
定时 波形
(持续)
(8) tavax
(20) taveh
E
W
D
Q
(21) teleh
(22) twleh
(23) tdveh
(19) tehax
(16) twhqx
(24)
TEHDX
(4) telqx
(15) twlqz (7) tehqz
一个
(18) tavel
V
CC
≥
2.0v
4.5v
4.5v
V
CC
>55ns
V
CC
-0.3v 至 v
CC
+0.3v
数据 保持
模式
E
图示 5. 数据 保持 定时
hm-65262
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