6-134
march 1997
hm-6504/883
4096 x 1 cmos 内存
特性
• 这个 电路 是 processed 在 一致 至 mil-标准-
883 和 是 全部地 conformant 下面 这 provisions 的
paragraph 1.2.1.
• 低 电源 备用物品 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
µ
w 最大值
• 低 电源 运作 . . . . . . . . . . . . . 35mw/mhz 最大值
• 数据 保持 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 在 2.0v 最小值
• ttl 兼容 输入/输出
• 三-状态 输出
• 标准 电子元件工业联合会 引脚
• 快 进入 时间. . . . . . . . . . . . . . . . . . 120/200ns 最大值
• 18 管脚 包装 为 高 密度
• 在-碎片 地址 寄存器
• gated 输入 - 非 拉 向上 或者 拉 向下 电阻器
必需的
描述
这 hm-6504/883 是 一个 4096 x 1 静态的 cmos 内存
fabricated 使用 自-排整齐 硅 门 技术. 这
设备 运用 同步的 电路系统 至 达到 高 perfor-
mance 和 低 电源 运作.
在-碎片 latches 是 提供 为 地址, 数据 输入 和
数据 输出 准许 efficient 接合 和 微处理器
系统. 这 数据 输出 能 是 强迫 至 一个 高 阻抗
状态 为 使用 在 expanded 记忆 arrays.
gated 输入 准许 更小的 运行 电流 和 也 elimi-
nate 这 需要 为 拉 向上 或者 拉 向下 电阻器. 这
hm-6504/883 是 一个 全部地 静态的 内存 和 将 是 maintained 在
任何 状态 为 一个 indefinite 时期 的 时间.
数据 保持 供应 电压 和 供应 电流 是 guaran-
teed 在 温度.
订货 信息
引脚
hm-6504/883 (cerdip)
顶 视图
包装 温度 范围 200ns 300ns pkg. 非
CERDIP -55
o
c 至 +125
o
C hm1-6504b/883 hm1-6504/883 f18.3
管脚 描述
一个 地址 输入
E 碎片 使能
W 写 使能
D 数据 输入
Q 数据 输出
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9
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6
5
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3
2
1
VCC
A7
A8
A9
A10
A11
D
A6
E
A0
A1
A2
A3
A4
A5
W
Q
地
文件 号码
2993.1
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 ic 处理 程序.
http://www.intersil.com 或者 407-727-9207
|
版权
©
intersil 公司 1999
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