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资料编号:381528
 
资料名称:HM1-6504/883
 
文件大小: 167.86K
   
说明
 
介绍:
4096 x 1 CMOS RAM
 
 


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6-137
表格 2. hm-6504/883 交流 电的 效能 规格
设备 有保证的 和 100% 测试
参数 标识
(注释 1, 2)
情况
一个 sub-
GROUPS
tempera-
TURE
限制
单位
hm-6504s/883 hm-6504b/883
hm-6504/883
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
碎片 使能
进入 时间
(1)
TELQV vcc = 4.5 和
5.5v
9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C
- 120 - 200 - 300 ns
地址 进入
时间
(2)
TAVQV vcc = 4.5 和
5.5v, 便条 3
9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C
- 120 - 220 - 320 ns
碎片 使能
脉冲波 负的
宽度
(5)
TELEH vcc = 4.5 和
5.5v
9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C
120 - 200 - 300 - ns
碎片 使能
脉冲波 积极的
宽度
(6)
TEHEL vcc = 4.5 和
5.5v
9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C
50 - 90 - 120 - ns
地址 建制
时间
(7)
TAVEL vcc = 4.5 和
5.5v
9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C
0 - 20 - 20 - ns
地址 支撑
时间
(8)
TELAX vcc = 4.5 和
5.5v
9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C
40 - 50 - 50 - ns
写 使能
脉冲波 宽度
(9)
TWLWH vcc = 4.5 和
5.5v
9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C
20 - 60 - 80 - ns
写 使能
脉冲波 建制
时间
(10)
TWLEH vcc = 4.5 和
5.5v
9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C
70 - 150 - 200 - ns
early 写 脉冲波
建制 时间
(11)
TWLEL vcc = 4.5 和
5.5v
9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C
0-0-0-ns
early 写 脉冲波
支撑 时间
(13)
TELWH vcc = 4.5 和
5.5v
9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C
40 - 60 - 80 - ns
数据 建制 时间
(14)
TDVWL vcc = 4.5 和
5.5v
9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C
0-0-0-ns
early 写 数据
建制 时间
(15)
TDVEL vcc = 4.5 和
5.5v
9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C
0-0-0-ns
数据 支撑 时间
(16)
TWLDX vcc = 4.5 和
5.5v
9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C
25 - 60 - 80 - ns
early 写 数据
支撑 时间
(17)
TELDX vcc = 4.5 和
5.5v
9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C
25 - 60 - 80 - ns
读 或者 写
循环 时间
(18)
TELEL vcc = 4.5 和
5.5v
9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C
170 - 290 - 420 - ns
注释:
1. 所有 电压 关联 至 设备 地.
2. 输入 脉冲波 水平: 0.8v 至 vcc-2.0v; 输入 上升 和 下降 时间: 5ns (max); 输入 和 输出 定时 涉及 level: 1.5v; 输出 load:
1ttl 门 相等的, cl = 50pf (最小值) - 为 cl 更好 比 50pf, 进入 时间 是 derated 用 0.15ns 每 pf.
3. tavqv = telqv + tavel.
hm-6504/883
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