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资料编号:381906
 
资料名称:HM5118165J-5
 
文件大小: 336.68K
   
说明
 
介绍:
16M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 1 k Refresh
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
hm5118165 序列
10
写 循环
HM5118165
-5 -6 -7
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
写 command 建制 时间 t
WCS
0 0 0 ns 14, 21
写 command 支撑 时间 t
WCH
7 10 13 ns 21
写 command 脉冲波 宽度 t
WP
7 10 10 ns
写 command 至
RAS
含铅的 时间 t
RWL
7 10 13 ns
写 command 至
CAS
含铅的 时间 t
CWL
7 10 13 ns 23
数据-在 建制 时间 t
DS
0 0 0 ns 15, 23
数据-在 支撑 时间 t
DH
7 10 13 ns 15, 23
读-modify-写 循环
-5 -6 -7
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
读-modify-写 循环 时间 t
RWC
111 135 161 ns
RAS
我们
延迟 时间 t
RWD
67 79 92 ns 14
CAS
我们
延迟 时间 t
CWD
30 34 40 ns 14
column 地址 至
我们
延迟 时间 t
AWD
42 49 57 ns 14
OE
支撑 时间 从
我们
t
OEH
13 15 18 ns
refresh 循环
HM5118165
-5 -6 -7
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
CAS
建制 时间 (cbr refresh 循环) t
CSR
5—5—5—ns21
CAS
支撑 时间 (cbr refresh 循环) t
CHR
7 10 10 ns 22
RAS
precharge 至
CAS
支撑 时间 t
RPC
5—5—5—ns21
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