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资料编号:381906
 
资料名称:HM5118165J-5
 
文件大小: 336.68K
   
说明
 
介绍:
16M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 1 k Refresh
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
hm5118165 序列
8
交流 特性
(ta = 0 至 +70
°
c, v
CC
= 5 v
±
10%, v
SS
= 0 v)*
1,
*
2,
*
18,
*
19,
*
20
测试 情况
输入 上升 和 下降 时间: 2 ns
输入 水平: 0 v, 3.0 v
输入 定时 涉及 水平: 0.8 v, 2.4 v
输出 定时 涉及 水平: 0.8 v, 2.0 v
输出 加载: 1 ttl 门 + c
L
(100 pf) (包含 scope 和 jig)
读, 写, 读-modify-写 和 refresh 循环
(一般 参数)
HM5118165
-5 -6 -7
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
随机的 读 或者 写 循环 时间 t
RC
84 104 124 ns
RAS
precharge 时间 t
RP
30 40 50 ns
CAS
precharge 时间 t
CP
7—10—13—ns
RAS
脉冲波 宽度 t
RAS
50 10000 60 10000 70 10000 ns
CAS
脉冲波 宽度 t
CAS
7 10000 10 10000 13 10000 ns
行 地址 建制 时间 t
ASR
0—0—0—ns
行 地址 支撑 时间 t
RAH
7—10—10—ns
column 地址 建制 时间 t
ASC
0—0—0—ns21
column 地址 支撑 时间 t
CAH
7—10—13—ns21
RAS
CAS
延迟 时间 t
RCD
11 37 14 45 14 52 ns 3
RAS
至 column 地址 延迟 时间 t
RAD
92512301235ns 4
RAS
支撑 时间 t
RSH
10 13 13 ns
CAS
支撑 时间 t
CSH
35 40 45 ns 23
CAS
RAS
precharge 时间 t
CRP
5—5—5—ns22
OE
至 din 延迟 时间 t
OED
13 15 18 ns 5
OE
延迟 时间 从 din t
DZO
0—0—0—ns6
CAS
延迟 时间 从 din t
DZC
0—0—0—ns6
转变 时间 (上升 和 下降) t
T
250250250ns7
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