飞利浦 半导体
2N7002F
trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 01 — 11 二月 2002 3 的 11
9397 750 09096
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V
GS
≥
4.5 V
图 1. normalized 总的 电源 消耗 作 一个
函数 的 焊盘 要点 温度.
图 2. normalized 持续的 流 电流 作 一个
函数 的 焊盘 要点 温度.
T
sp
=25
°
c; i
DM
是 单独的 脉冲波; v
GS
= 10 v.
图 3. safe 运行 范围; 持续的 和 顶峰 流 电流 作 一个 函数 的 流-源 电压.
03aa17
0
40
80
120
0 50 100 150 200
T
sp
(
o
c)
P
der
(%)
03aa25
0
40
80
120
0 50 100 150 200
T
sp
(
o
c)
I
der
(%)
P
der
P
tot
P
tot 25 C
°
()
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D
I
D25C
°
()
-------------------
100
%
×
=
03ai11
10
-2
10
-1
1
10
1 10 10
2
V
DS
(v)
I
D
(一个)
直流
100 ms
10 ms
R
DSon
= v
DS
/ i
D
1 ms
t
p
= 10 ms
100 ms