飞利浦 半导体
2N7002F
trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 01 — 11 二月 2002 7 的 11
9397 750 09096
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I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
.t
j
=25
°
c; v
DS
=5v.
图 9. 门-源 门槛 电压 作 一个 函数 的
接合面 温度.
图 10. sub-门槛 流 电流 作 一个 函数 的
门-源 电压.
V
GS
= 0 v; f = 1 mhz. T
j
=25
°
c 和 150
°
c; v
GS
=0v.
图 11. 输入, 输出 和 反转 转移 capacitances
作 一个 函数 的 流-源 电压; 典型
值.
图 12. 源 (二极管 向前) 电流 作 一个 函数 的
源-流 (二极管 向前) 电压; 典型
值.
!==!"
0
0.6
1.2
1.8
2.4
-60 0 60 120 180
T
j
(
o
c)
V
gs(th)
(v)
典型值
最小值
!==!%
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
0 0.6 1.2 1.8 2.4
V
GS
(v)
I
D
(一个)
typmin
03ai18
1
10
10
2
10
-1
1 10 10
2
V
DS
(v)
C
(pf)
C
iss
C
oss
C
rss
03ai17
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0 0.4 0.8 1.2
V
SD
(v)
I
S
(一个)
T
j
= 25
o
C
150
o
C
V
GS
= 0 v