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资料编号:38603
 
资料名称:2PB1219AR
 
文件大小: 42.33K
   
说明
 
介绍:
PNP general purpose transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1999 Apr 12 2
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 一般 目的 晶体管 2PB1219A
特性
高 电流 (最大值. 500 毫安)
低 电压 (最大值. 50 v)
低 集电级-发射级 饱和 电压 (最大值. 600 mv).
产品
一般 目的 切换 和 放大器.
描述
pnp 晶体管 在 一个 sot323; sc70 塑料 包装.
NPN complement: 2pd1820a.
标记
便条
1.
= - : 制造 在 香 港.
= t : 制造 在 马来西亚.
类型 号码 标记 代号
(1)
2PB1219AQ D
Q
2PB1219AR D
R
2PB1219AS D
S
固定
管脚 描述
1 根基
2 发射级
3 集电级
图.1 simplified 外形 (sot323; sc70)
标识.
handbook, halfpage
MAM048
顶 视图
2
1
3
2
3
1
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
便条
1. 谈及 至 sot323; sc70 标准 挂载 情况.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−−
60 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−−
50 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−−
5V
I
C
集电级 电流 (直流)
−−
500 毫安
I
CM
顶峰 集电级 电流
−−
1A
I
BM
顶峰 根基 电流
−−
200 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
25
°
c; 便条 1
200 mW
T
stg
存储 温度
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
150
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
65 +150
°
C
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