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资料编号:38603
 
资料名称:2PB1219AR
 
文件大小: 42.33K
   
说明
 
介绍:
PNP general purpose transistor
 
 


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1999 Apr 12 3
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 一般 目的 晶体管 2PB1219A
热的 特性
便条
1. 谈及 至 sot323; sc70 标准 挂载 情况.
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 specified.
便条
1. 脉冲波 测试: t
p
300
µ
s;
δ≤
0.02.
标识 参数 情况 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 625 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=
20 V
−−
100 nA
I
E
= 0; v
CB
=
20 v; t
j
= 150
°
C
−−
5
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=
4V
−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=
150 毫安; v
CE
=
10 v; 便条 1
2PB1219AQ 85 170
2PB1219AR 120 240
2PB1219AS 170 340
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=
500 毫安; v
CE
=
10 v; 便条 1 40
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=
300 毫安; i
B
=
30 毫安; 便条 1
−−
600 mV
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
=
300 毫安; i
B
=
30 毫安; 便条 1
−−
1.5 V
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
=
10 v; f = 1 MHz
15 pF
f
T
转变 频率 I
C
= 50 毫安; v
CE
=
10 v;
f = 100 mhz; 便条 1
2PB1219AQ 100
MHz
2PB1219AR 120
MHz
2PB1219AS 140
MHz
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