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资料编号:38878
 
资料名称:2SA1020
 
文件大小: 170.99K
   
说明
 
介绍:
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
 
 


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utc 2sa1020 pnp 外延的 硅 晶体管
UTC
unisonic 科技 co. 有限公司
2
qw-r208-021,一个
分类 的 h
FE1
分级 o Y
范围 70 - 140 120 - 240
典型 效能 特性
i(tot)
毫安
-0.4
V
CE
-i
C
0-0.8
0
-2.0-1.2 -2.4
-2.8
-0.2
-0.6
-0.8
-1.0
集电级 电流 ic(一个)
i(tot)
毫安
-0.01
30
hfe-ic
-0.005
-0.03 -3
10
集电级 电流 i
C
(一个)
直流 电流 增益 hfe
50
100
300
25
500
集电级 发射级 电压 v
CE
(v)
I
B
=-5ma
一般 发射级
Ta=25
-1.6
-0.4
-10 -20 -40
-80
-120
-160
-200
i(tot)
毫安
-0.4
V
CE
-i
C
0-0.8
0
-2.0-1.2 -2.4
-2.8
-0.2
-0.6
-0.8
-1.0
集电级 电流 ic(一个)
集电级 发射级 电压 v
CE
(v)
I
B
=-5ma
一般 发射级
Ta=100
-1.6
-0.4
-30-20
-40 -80
-120
-160
-200
-180
-60
i(tot)
毫安
-0.4
V
CE
-i
C
0-0.8
0
-2.0-1.2 -2.4
-2.8
-0.2
-0.6
-0.8
-1.0
集电级 电流 ic(一个)
集电级 发射级 电压 v
CE
(v)
I
B
=-10ma
一般 发射级
ta=-55
-1.6
-0.4
-20 -30
-80
-120
-160
-200
-40
-60
-0.1
-0.3
-1
1000
一般 发射级
V
CE
=-2v
Ta=100
-55
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