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资料编号:38878
 
资料名称:2SA1020
 
文件大小: 170.99K
   
说明
 
介绍:
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
utc 2sa1020 pnp 外延的 硅 晶体管
UTC
unisonic 科技 co. 有限公司
1
qw-r208-021,一个
硅 pnp 外延的
晶体管
描述
这 utc 2sa1020 是 设计 为 电源 放大器 和
电源 切换 产品.
特性
*low 集电级 饱和 电压:
vce(sat)=-0.5v(最大值.) (ic=-1a)
*high 速 切换 时间: tstg=1.0
µ
s(典型值.)
*complement 至 utc 2sc2655
sot-89
1
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数 标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
-50 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
-50 V
发射级-根基 电压 V
EBO
-5 V
集电级 电流 Ic -2 一个
集电级 电源 消耗 P
C
0.5 w
集电级 电源 消耗 P
C
* 1 w
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
STG
-55 ~ +150
°
C
* : 挂载 在 cermic 基质( 250mm
2
×
0.8t )
电的 特性
(ta=25
°
c, 除非 否则 指定)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截-止 电流 I
CBO
V
CB
=-50v, i
E
=0 -1.0
µ
一个
发射级 截-止 电流 I
EBO
V
EB
=-5v, i
C
=0 -1.0
µ
一个
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
ic=-10ma, i
B
=0 -50 v
直流 电流 增益 h
FE1
h
FE2
V
CE
=-2v, i
C
=-0.5a
V
CE
=-2v, i
C
=-1.5a
70
40
240
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
ic=-1a, i
B
=-0.05a -0.5 v
根基 至 发射级 饱和 电压 V
是(sat)
ic=-1a, i
B
=-0.05a -1.2 v
转变 频率 f
T
V
CE
=-2v, ic=-0.5a 100 MHz
集电级 输出 电容 Cob V
CB
=-10v, i
E
=0, f=1mhz 40 pF
转变-在 时间 ton 0.1
µ
s
存储 时间 tstg 1.0
µ
s
切换 时间
下降 时间 tf 0.1
µ
s
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