HY62WT08081E序列
Rev04/将.2001
9
注释(写循环):
1. 一个 写 occurs 在 这 overlap 的 一个 低 /cs 和 一个 低 /我们. 一个 写 begins 在 这 最新的 转变
among /cs going 低 和 /我们 going 低: 一个 写 ends 在 这 earliest 转变 among /cs going 高
和 /我们 going 高. tWP是 量过的 从这 beginning 的 写 至 这 终止 的 写.
2. tCW是 量过的 从 这 后来的 的 /cs going 低 至 这 终止 的 写 .
3. t作是 量过的 从 这 地址 有效的 至 这 beginning 的 写.
4. tWR是 量过的 从 这 终止 的 写 至 这 地址 改变. twr is应用 在 情况 一个 写 ends 作 /cs,
或者 /我们 going 高.
5. 如果 /oe 和 /我们 是 在 这 读 模式 在 这个 时期, 和 这 i/o 管脚 是 在 这 输出 低-z 状态,
输入 的 opposite 阶段 的 这 输出 必须 不 是 应用 因为 总线 contention 能 occur.
6. 如果 /cs 变得 低 同时发生地 和 /我们 going 低, 或者 之后 /we going low, 这 输出 仍然是 在 高
阻抗 状态.
7. d输出是 这 一样 阶段 的 这 最新的 写 数据 在 这个 写 循环.
8. d输出是 这 读 数据 的 这 新 地址.
D一个ta retention 典型的
T一个= 0
°
C至 70
°
C(正常的) /-25
°
C至 85
°
C(扩展)/-40
°
c 至 85
°
C(工业的)
除非 否则 指定.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值
(1)
最大值 单位
VDR vcc 为 数据 保持 CS>Vcc-0.2v, 2.0 - - V
V在>Vcc-0.2v或者V在<Vss+ 0.2v
ICCDR(3) 数据 保持 电流 vcc=3.0v,
/cs>Vcc-0.2v,
0~70
°
C
- 0.5 5 uA
V在>Vcc-0.2v或者
V在<Vss+ 0.2v
-25~85
°
c 或者
-40~85
°
C
- 0.5 8 uA
tCDR 碎片 deselect 至 数据
保持 时间
看 数据 保持 0 - - ns
tR 运行 恢复 时间 定时 图解 tRC(2) - - ns
注释
1. 典型 值 是 下面 这 情况 的 t一个= 25
°
C.
2. trc 是 读 循环 时间.
3. iccdr : 2ua 在 ta < 40
°
C
数据 保持 定时 图解
CS
VDR
cs>vcc-0.2v
tCDR tR
VSS
VCC
4.5v/2.7v
2.2v
数据 保持 模式
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