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资料编号:390627
 
资料名称:HY62WT08081E
 
文件大小: 205.31K
   
说明
 
介绍:
HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HY62WT08081E序列
Rev04/.2001
6
交流 测试 情况
T一个= 0
°
C至 70
°
C(正常的) /-25
°
C至 85
°
C(扩展)/-40
°
c 至 85
°
C(工业的)
除非 否则 指定.
参数
输入 脉冲波 水平的 vcc = 4.5~5.5v 0.8v 至 2.4v
vcc = 2.7~3.6V 0.4v 至 2.2v
输入 上升 和 下降 时间 5ns
输入 和 输出 定时 涉及 水平的 1.5v
输出 加载 tclz,tolz,tchz,tohz,twhz,tow cl =5pf + 1ttl 加载
其他 cl = 100pf + 1ttl 加载
CL*=30pf + 1ttl 加载
交流 测试 负载
cl(1)
TTL
便条 : 包含 jig 和 scope 电容
电容
T一个= 25
°
C, f = 1.0mhz
标识 参数 情况 最大值 单位
C 输入 电容 V= 0v 6 pF
Ci/o 输入 /输出 电容 Vi/o= 0v 8 pF
便条 : 这些 参数 一个re 抽样 和 不 100% 测试
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