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资料编号:390650
 
资料名称:HY62UF16101C
 
文件大小: 170.01K
   
说明
 
介绍:
64Kx16bit full CMOS SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HY62UF16101C序列
rev.04/Dec.00
4
交流 特性
vcc =2.7~3.3v, t一个= 0
°
C至 70
°
c /-40
°
c 至 85
°
c (i), 除非 否则 指定
-55 -70 -85 -10
最小值 毫安x 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
读 循环
1 tRC 读 cycle 时间 55 - 70 - 85 - 100 - ns
2 tAA 地址 进入 时间 - 55 - 70 - 85 - 100 ns
3 tACS 碎片 选择 进入 时间 - 55 - 70 - 85 - 100 ns
4 tOE 输出 使能 至 输出 有效的 - 35 - 40 - 45 - 50 ns
5 tBA /lb, /ub 进入 时间 - 55 - 70 - 85 - 100 ns
6 tCLZ 碎片 选择 至 输出 在 低 z 10 - 10 - 10 - 20 - ns
7 tOLZ 输出 使能 至 输出 在 低 z 5 - 5 - 5 - 5 - ns
8 tBLZ /lb, /ub 使能 至 输出 在 低 z 5 - 5 - 5 - 10 - ns
9 tCHZ 碎片 deselection 至 输出 在 高 z 0 30 0 30 0 30 0 30 ns
10 HZ 输出 使不能运转 至 输出 在 高 z 0 30 0 30 0 30 0 30 ns
11 tBHZ /lb, /ub 使不能运转 至 输出 在 高 z 0 30 0 30 0 30 0 30 ns
12 tOH 输出 支撑 从 地址 改变 10 - 10 - 10 - 15 - ns
写 循环
13 tWC 写 循环 时间 55 - 70 - 85 - 100 - ns
14 tCW 碎片 选择 至 终止 的 写 50 - 60 - 70 - 80 - ns
15 tAW 地址 有效的 至 终止 的 写 50 - 60 - 70 - 80 - ns
16 tBW /lb, /ub 有效的 至 终止 的 写 50 - 60 - 70 - 80 - ns
17 tAS 地址 设置-向上 时间 0 - 0 - 0 - 0 - ns
18 tWP 写 脉冲波宽度 45 - 50 - 55 - 75 - ns
19 tWR 写 恢复 时间 0 - 0 - 0 - 0 - ns
20 tWHZ 写 至 输出 在 高 z 0 20 0 25 0 30 0 35 ns
21 tDW 数据 至 写 时间 overlap 25 - 30 - 35 - 45 - ns
22 tDH 数据 支撑 从 写 时间 0 - 0 - 0 - 0 - ns
23 tOW Output 起作用的 从 终止 的 写 5 - 5 - 5 - 10 - ns
交流 测试 情况
T一个= 0
°
C至 70
°
c /-40
°
c 至 85
°
c (i), 除非 否则 指定
参数
输入 脉冲波 水平的 0.4v 至 2.2v
输入 上升 和 下降 时间 5ns
输入 和 输出定时 涉及水平的 1.5v
tclz,tolz,tblz,tchz,tohz,tbhz,twhz,tow cl = 5pf + 1ttl 加载输出 加载
其他 cl = 30pf + 1ttl 加载
交流 测试 负载
D
输出
1728Ohm
cl(1)
1029Ohm
V
tm=2.8v
便条
1. 包含 jig 和 scope 电容
参数
单位标识
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