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资料编号:390650
 
资料名称:HY62UF16101C
 
文件大小: 170.01K
   
说明
 
介绍:
64Kx16bit full CMOS SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HY62UF16101C序列
rev.04/Dec.00
6
写 循环 1(1,4,8)(/我们 控制)
写 循环 2 (便条1,4,8)(/cs 控制)
注释:
1.一个 写 occurs在 这 overlap 的 一个 低 /我们, 一个 低 /cs1 和 低 /ub 和/或者 /lb.
2.twr 是 量过的 从 这 早期 的 /cs, /lb, /ub, or /我们 going 高 至 这终止 的 写 循环.
3. 在 这个 时期, i/o 管脚 是 在 这 输出 状态 所以 那 这 输入 信号 的 opposite 阶段 至 这
输出 必须 不 是 应用.
4.如果 这 /cs, /lb 和 /ub 低 转变 出现 同时发生地 和 这/我们 低 转变 或者 之后 这
/我们转变, 输出 仍然是 在 一个 高 阻抗 状态.
5. q(数据 输出) 是 这 一样 阶段 和 这 写 数据 的 这个 写 循环.
6. q(数据 输出) 是 这 读 数据 的 这 next 地址.
7. 转变 是 量过的+200mV从 稳步的 状态.
这个 参数 是 抽样 和 不 100% 测试.
8./cs在 高 为 这 备用物品, 低 为 起作用的
/ub 和 /lb 在 高 为 这 备用物品, 低 为 起作用的
数据 有效的
地址
数据
Out
/
CS
/
UB
,
/
LB
/
我们
tWC
tCW
tWR
(2)
tBW
tAW
tWP
数据 在
-Z
tAS
tWHZ
(3,7)
tDW
tDH
tOW
(5)
(6)
数据 有效的
地址
数据
输出
/
CS
/
UB
,
/
LB
/
我们
tWC
tCW
tWR
(2)
tBW
tAW
tWP
数据 在
tDW
tDH
-Z
-Z
tAS
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